Normal view
MARC view
Investigation of the effect of thermal annealing on the electrical properties of the near-surface layer of MBE n-HgCdTe using MIS techniques (Record no. 480360)
[ view plain ]
| 000 -Маркер записи | |
|---|---|
| Контрольное поле постоянной длины | 03422nab a2200433 c 4500 |
| 001 - Контрольный номер | |
| Контрольное поле | vtls000795383 |
| 005 - Дата корректировки | |
| Контрольное поле | 20230319222317.0 |
| 007 - Кодируемые данные (физ. описан.) | |
| Контрольное поле постоянной длины | cr | |
| 008 - Кодируемые данные | |
| Контрольное поле постоянной длины | 210316|2020 xxu s a eng d |
| 024 7# - Прочие стандартные номера | |
| Стандартный номер | 10.1007/s11664-020-08005-0 |
| Источник номера | doi |
| 035 ## - Системный контрольный номер | |
| Системный контрольный номер | to000795383 |
| 040 ## - Источник каталогиз. | |
| Служба первич. каталог. | RU-ToGU |
| Код языка каталог. | rus |
| Служба, преобразующая запись | RU-ToGU |
| 245 10 - Заглавие | |
| Заглавие | Investigation of the effect of thermal annealing on the electrical properties of the near-surface layer of MBE n-HgCdTe using MIS techniques |
| Ответственность | A. V. Voytsekhovskii, S. N. Nesmelov, S. M. Dzyadukh [et al.] |
| 336 ## - Тип содержимого | |
| Тип содержимого | Текст |
| 337 ## - Средство доступа | |
| Средство доступа | электронный |
| 504 ## - Библиография | |
| Библиография | Библиогр.: 38 назв. |
| 520 3# - Аннотация | |
| Аннотация | Heteroepitaxial n-Hg0.78Cd0.22Te films with near-surface graded-gap layers<br/>were grown by molecular beam epitaxy and subjected to two-stage thermal<br/> annealing in saturated mercury vapor atmosphere. The first stage of<br/> annealing was carried out for 2 h at a temperature of 360C. The second stage<br/> was carried out at a temperature of 220C for 24 h. Similar annealing was<br/> carried out after As+ ion implantation to activate the introduced impurity and<br/> anneal radiation defects. Based on as-grown and annealed films, metal–insulator–<br/> semiconductor (MIS) structures were formed by depositing an Al2O3<br/> dielectric by plasma atomic layer deposition. The admittance of fabricated MIS<br/> structures was studied in a wide range of frequencies and temperatures. It<br/> was found that after thermal annealing, the properties of the n-HgCdTe<br/> surface layer are noticeably changed, which is manifested as a decrease in the<br/> density of slow states in the transition layer between the dielectric and the<br/> semiconductor, and an increase in the generation of minority charge carriers<br/> in the n-HgCdTe near-surface layer. These changes in the properties of n-<br/> HgCdTe after thermal annealing are associated with the modification of the<br/> defect system of the near-surface layer of the semiconductor and the transition<br/> layer between dielectric and semiconductor. No significant changes were detected<br/> in the bulk properties of the epitaxial film after thermal annealing. A<br/> decrease in the density of states near the interface between HgCdTe and Al2O3<br/> during thermal annealing makes it possible to facilitate the electrical characterization<br/> of MIS structures by suppressing hysteresis phenomena. |
| 653 ## - Ключевые слова | |
| Ключевые слова | еллурид кадмия-ртути |
| 653 ## - Ключевые слова | |
| Ключевые слова | молекулярно-лучевая эпитаксия |
| 653 ## - Ключевые слова | |
| Ключевые слова | термический отжиг |
| 653 ## - Ключевые слова | |
| Ключевые слова | варизонный слой |
| 653 ## - Ключевые слова | |
| Ключевые слова | адмиттанс |
| 655 #4 - Термин индексирования — жанр/форма | |
| Жанр/форма | статьи в журналах |
| 9 (RLIN) | 879358 |
| 700 1# - Другие авторы | |
| Другие авторы | Nesmelov, Sergey N. |
| 9 (RLIN) | 101528 |
| 700 1# - Другие авторы | |
| Другие авторы | Dzyadukh, Stanislav M. |
| 9 (RLIN) | 95711 |
| 700 1# - Другие авторы | |
| Другие авторы | Varavin, Vasilii S. |
| 9 (RLIN) | 102908 |
| 700 1# - Другие авторы | |
| Другие авторы | Dvoretsky, Sergei A. |
| 9 (RLIN) | 101527 |
| 700 1# - Другие авторы | |
| Другие авторы | Mikhailov, Nikolay N. |
| 9 (RLIN) | 103757 |
| 700 1# - Другие авторы | |
| Другие авторы | Sidorov, Georgiy Yu. |
| 9 (RLIN) | 478111 |
| 700 1# - Другие авторы | |
| Другие авторы | Yakushev, Maxim V. |
| 9 (RLIN) | 102909 |
| 700 1# - Другие авторы | |
| Другие авторы | Marin, Denis V. |
| 9 (RLIN) | 496528 |
| 700 1# - Другие авторы | |
| Другие авторы | Voytsekhovskiy, Alexander V. |
| 9 (RLIN) | 91706 |
| 773 0# - Источник информации | |
| Название источника | Journal of electronic materials |
| Место и дата издания | 2020 |
| Прочая информация | Vol. 49, № 5. P. 3202-3208 |
| ISSN | 0361-5235 |
| 852 4# - Местонахождение единицы хранения | |
| Код организации-хранителя | RU-ToGU |
| 856 4# - Электронный адрес документа | |
| URL | <a href="http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000795383">http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000795383</a> |
| 908 ## - Параметр входа данных | |
| Параметр входа данных | статья |
| 999 ## - Системные контрольные номера (Koha) | |
| biblionumber (Koha) | 480360 |
No items available.