Scientific Library of Tomsk State University

   E-catalog        

Normal view MARC view

The relaxation of electrophysical properties HgCdTe epitaxial films affected by plasma of high frequency nanosecond volume discharge in atmospheric-pressure air (Record no. 479915)

000 -Маркер записи
Контрольное поле постоянной длины 02672nab a2200445 c 4500
001 - Контрольный номер
Контрольное поле vtls000795320
005 - Дата корректировки
Контрольное поле 20230319222246.0
007 - Кодируемые данные (физ. описан.)
Контрольное поле постоянной длины cr |
008 - Кодируемые данные
Контрольное поле постоянной длины 210315|2020 ne s a eng d
024 7# - Прочие стандартные номера
Стандартный номер 10.1016/j.surfcoat.2020.125527
Источник номера doi
035 ## - Системный контрольный номер
Системный контрольный номер to000795320
040 ## - Источник каталогиз.
Служба первич. каталог. RU-ToGU
Код языка каталог. rus
Служба, преобразующая запись RU-ToGU
245 14 - Заглавие
Заглавие The relaxation of electrophysical properties HgCdTe epitaxial films affected by plasma of high frequency nanosecond volume discharge in atmospheric-pressure air
Ответственность A. G. Korotaev, D. V. Grigoryev, A. V. Voitsekhovskii [et al.]
336 ## - Тип содержимого
Тип содержимого Текст
337 ## - Средство доступа
Средство доступа электронный
504 ## - Библиография
Библиография Библиогр.: 14 назв.
520 3# - Аннотация
Аннотация In this work the results of the experimental investigation of the influence of the high-frequency nanosecond<br/>volume discharge in atmospheric pressure air on the electrophysical properties of epitaxial HgCdTe films are<br/> presented. Analysis of magnetic-field dependences of the Hall coefficient have shown that in the near-surface<br/> region of the material a high-conductivity n-type layer is formed as a result of irradiation. It is shown that<br/> relaxation of the values of the electrophysical parameters of the epitaxial films is observed after the irradiation.<br/> The supposition is made that the obtained experimental results may be explained by the formation of thin<br/> dielectric oxide film at the surface of the irradiated material, containing built-in fixed and mobile positive<br/> charge.
653 ## - Ключевые слова
Ключевые слова эпитаксиальные пленки
653 ## - Ключевые слова
Ключевые слова электрофизические параметры
653 ## - Ключевые слова
Ключевые слова высокочастотный наносекундный диффузный разряд
655 #4 - Термин индексирования — жанр/форма
Жанр/форма статьи в журналах
9 (RLIN) 879358
700 1# - Другие авторы
Другие авторы Grigoryev, Denis V.
9 (RLIN) 101525
700 1# - Другие авторы
Другие авторы Voytsekhovskiy, Alexander V.
9 (RLIN) 91706
700 1# - Другие авторы
Другие авторы Lozovoy, Kirill A.
9 (RLIN) 91708
700 1# - Другие авторы
Другие авторы Tarasenko, Viktor Fedotovich
9 (RLIN) 76225
700 1# - Другие авторы
Другие авторы Ripenko, Vasilii S.
9 (RLIN) 561255
700 1# - Другие авторы
Другие авторы Shulepov, Mikhail A.
9 (RLIN) 94720
700 1# - Другие авторы
Другие авторы Erofeev, Mikhail V.
9 (RLIN) 133645
700 1# - Другие авторы
Другие авторы Yakushev, Maxim V.
9 (RLIN) 102909
700 1# - Другие авторы
Другие авторы Dvoretsky, Sergei A.
9 (RLIN) 101527
700 1# - Другие авторы
Другие авторы Korotaev, Alexander G.
9 (RLIN) 106335
700 1# - Другие авторы
Другие авторы Mikhailov, Nikolay N.
9 (RLIN) 103757
700 1# - Другие авторы
Другие авторы Varavin, Vasilii S.
9 (RLIN) 102908
773 0# - Источник информации
Название источника Surface and coatings technology
Место и дата издания 2020
Прочая информация Vol. 387. P. 125527 (1-5)
ISSN 0257-8972
852 4# - Местонахождение единицы хранения
Код организации-хранителя RU-ToGU
856 4# - Электронный адрес документа
URL <a href="http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000795320">http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000795320</a>
908 ## - Параметр входа данных
Параметр входа данных статья
999 ## - Системные контрольные номера (Koha)
biblionumber (Koha) 479915

No items available.