Normal view
MARC view
Nano‑size defect layers in arsenic‑implanted and annealed HgCdTe epitaxial films studied with transmission electron microscopy (Record no. 479210)
[ view plain ]
| 000 -Маркер записи | |
|---|---|
| Контрольное поле постоянной длины | 02911nab a2200505 c 4500 |
| 001 - Контрольный номер | |
| Контрольное поле | vtls000794663 |
| 005 - Дата корректировки | |
| Контрольное поле | 20230319222154.0 |
| 007 - Кодируемые данные (физ. описан.) | |
| Контрольное поле постоянной длины | cr | |
| 008 - Кодируемые данные | |
| Контрольное поле постоянной длины | 210303|2020 sz s a eng d |
| 024 7# - Прочие стандартные номера | |
| Стандартный номер | 10.1007/s13204-020-01327-9 |
| Источник номера | doi |
| 035 ## - Системный контрольный номер | |
| Системный контрольный номер | to000794663 |
| 040 ## - Источник каталогиз. | |
| Служба первич. каталог. | RU-ToGU |
| Код языка каталог. | rus |
| Служба, преобразующая запись | RU-ToGU |
| 245 10 - Заглавие | |
| Заглавие | Nano‑size defect layers in arsenic‑implanted and annealed HgCdTe epitaxial films studied with transmission electron microscopy |
| Ответственность | O. Yu. Bonchyk, H. V. Savytskyy, I. I. Izhnin [et al.] |
| 336 ## - Тип содержимого | |
| Тип содержимого | Текст |
| 337 ## - Средство доступа | |
| Средство доступа | электронный |
| 504 ## - Библиография | |
| Библиография | Библиогр.: с. 4976 |
| 520 3# - Аннотация | |
| Аннотация | Optical reflectance and bright-field and high-resolution transmission electron microscopy studies of radiation damage induced<br/>by implantation of arsenic ions with 190 keV and 350 keV energy and 1014<br/> cm–2 fluence in molecular-beam epitaxy-grown<br/> Hg0.7Cd0.3Te<br/> films were performed. A similarity in defect pattern formed by arsenic implantation in Hg1−<br/> xCdxTe with x ≈ 0.2<br/> and x ≈ 0.3 straight after the implantation was observed with formation of three nano-size defect layers containing dislocation<br/> loops of vacancy- and interstitial-types, single dislocations and lattice deformations. After post-implantation arsenic<br/> activation annealing, most of these defects in our Hg0.7Cd0.3Te<br/> films, in contrast to Hg0.8Cd0.2Te<br/> films, disappeared. This<br/> effect is explained by the reduced influence of the electric field of the graded-gap surface layer on the diffusion of charged<br/> point defects under annealing. |
| 653 ## - Ключевые слова | |
| Ключевые слова | имплантация мышьяка |
| 653 ## - Ключевые слова | |
| Ключевые слова | просвечивающая электронная микроскопия |
| 653 ## - Ключевые слова | |
| Ключевые слова | наноразмерные дефекты |
| 653 ## - Ключевые слова | |
| Ключевые слова | эпитаксиальные пленки |
| 653 ## - Ключевые слова | |
| Ключевые слова | HgCdTe пленки |
| 655 #4 - Термин индексирования — жанр/форма | |
| Жанр/форма | статьи в журналах |
| 9 (RLIN) | 879358 |
| 700 1# - Другие авторы | |
| Другие авторы | Izhnin, Igor I. |
| 9 (RLIN) | 102905 |
| 700 1# - Другие авторы | |
| Другие авторы | Mynbaev, Karim D. |
| 9 (RLIN) | 111823 |
| 700 1# - Другие авторы | |
| Другие авторы | Syvorotka, I. I. |
| 9 (RLIN) | 445231 |
| 700 1# - Другие авторы | |
| Другие авторы | Korotaev, Alexander G. |
| 9 (RLIN) | 106335 |
| 700 1# - Другие авторы | |
| Другие авторы | Voytsekhovskiy, Alexander V. |
| 9 (RLIN) | 91706 |
| 700 1# - Другие авторы | |
| Другие авторы | Fitsych, Olena I. |
| 9 (RLIN) | 102906 |
| 700 1# - Другие авторы | |
| Другие авторы | Varavin, Vasilii S. |
| 9 (RLIN) | 102908 |
| 700 1# - Другие авторы | |
| Другие авторы | Marin, Denis V. |
| 9 (RLIN) | 496528 |
| 700 1# - Другие авторы | |
| Другие авторы | Bonchyk, A. Yu. |
| 9 (RLIN) | 100966 |
| 700 1# - Другие авторы | |
| Другие авторы | Mikhailov, Nikolay N. |
| 9 (RLIN) | 103757 |
| 700 1# - Другие авторы | |
| Другие авторы | Yakushev, Maxim V. |
| 9 (RLIN) | 102909 |
| 700 1# - Другие авторы | |
| Другие авторы | Świątek, Zbigniew |
| 9 (RLIN) | 264267 |
| 700 1# - Другие авторы | |
| Другие авторы | Morgiel, Jerzy |
| 9 (RLIN) | 106334 |
| 700 1# - Другие авторы | |
| Другие авторы | Jakiela, Rafal |
| 9 (RLIN) | 338710 |
| 700 1# - Другие авторы | |
| Другие авторы | Savytskyy, Hrygory V. |
| 9 (RLIN) | 102907 |
| 773 0# - Источник информации | |
| Название источника | Applied nanoscience |
| Место и дата издания | 2020 |
| Прочая информация | Vol. 10, № 12. P. 4971-4976 |
| ISSN | 2190-5509 |
| 852 4# - Местонахождение единицы хранения | |
| Код организации-хранителя | RU-ToGU |
| 856 4# - Электронный адрес документа | |
| URL | <a href="http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000794663">http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000794663</a> |
| 908 ## - Параметр входа данных | |
| Параметр входа данных | статья |
| 999 ## - Системные контрольные номера (Koha) | |
| biblionumber (Koha) | 479210 |
No items available.