Normal view
MARC view
Fermi level pinning and hydrostatic pressure effect in electron irradiated GaSb (Record no. 479090)
[ view plain ]
| 000 -Маркер записи | |
|---|---|
| Контрольное поле постоянной длины | 02110nab a2200349 c 4500 |
| 001 - Контрольный номер | |
| Контрольное поле | vtls000794659 |
| 005 - Дата корректировки | |
| Контрольное поле | 20230319222147.0 |
| 007 - Кодируемые данные (физ. описан.) | |
| Контрольное поле постоянной длины | cr | |
| 008 - Кодируемые данные | |
| Контрольное поле постоянной длины | 210303|2020 enk s a eng d |
| 024 7# - Прочие стандартные номера | |
| Стандартный номер | 10.1088/1361-6641/ab92cf |
| Источник номера | doi |
| 035 ## - Системный контрольный номер | |
| Системный контрольный номер | to000794659 |
| 040 ## - Источник каталогиз. | |
| Служба первич. каталог. | RU-ToGU |
| Код языка каталог. | rus |
| Служба, преобразующая запись | RU-ToGU |
| 100 1# - Автор | |
| Автор | Brudnyi, Valentin N. |
| 9 (RLIN) | 104916 |
| 245 10 - Заглавие | |
| Заглавие | Fermi level pinning and hydrostatic pressure effect in electron irradiated GaSb |
| Ответственность | V. N. Brudnyi, I. V. Kamenskaya, P. A. Brudnyi |
| 336 ## - Тип содержимого | |
| Тип содержимого | Текст |
| 337 ## - Средство доступа | |
| Средство доступа | электронный |
| 504 ## - Библиография | |
| Библиография | Библиогр.: 30 назв. |
| 520 3# - Аннотация | |
| Аннотация | The effect of 2 MeV electron bombardment up to total electron dose of 1×1019cm−2 on the<br/>electrical and piezo resistive properties of n- and p-type GaSb crystals was studied. The electron<br/> irradiation leads to saturation of the hole concentration at about 5×1018cm−3 as a result of<br/> Fermi level pinning near the valence band top in all irradiated samples. With this in mind, the<br/> calculated data on the energy position of the charge neutrality level in GaSb were analyzed. The<br/> pressure coefficient of resistivity αρ = ∂(lnρ)/∂P was measured as a function of Fermi level<br/> position in the electron irradiated samples. Isochronal annealing of radiation-induced defects<br/> was investigated in the temperature range of 20–400 ◦C. |
| 653 ## - Ключевые слова | |
| Ключевые слова | уровень зарядовой нейтральности |
| 653 ## - Ключевые слова | |
| Ключевые слова | радиационные эффекты |
| 653 ## - Ключевые слова | |
| Ключевые слова | пьезосопротивление |
| 653 ## - Ключевые слова | |
| Ключевые слова | антимонид галлия |
| 655 #4 - Термин индексирования — жанр/форма | |
| Жанр/форма | статьи в журналах |
| 9 (RLIN) | 879358 |
| 700 1# - Другие авторы | |
| Другие авторы | Kamenskaya, I. V. |
| 9 (RLIN) | 509952 |
| 700 1# - Другие авторы | |
| Другие авторы | Brudnyi, P. A. |
| 9 (RLIN) | 487195 |
| 773 0# - Источник информации | |
| Название источника | Semiconductor science and technology |
| Место и дата издания | 2020 |
| Прочая информация | Vol. 35, № 8. P. 085021 (1-5) |
| ISSN | 0268-1242 |
| 852 4# - Местонахождение единицы хранения | |
| Код организации-хранителя | RU-ToGU |
| 856 4# - Электронный адрес документа | |
| URL | <a href="http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000794659">http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000794659</a> |
| 908 ## - Параметр входа данных | |
| Параметр входа данных | статья |
| 999 ## - Системные контрольные номера (Koha) | |
| biblionumber (Koha) | 479090 |
No items available.