Scientific Library of Tomsk State University

   E-catalog        

Normal view MARC view

Electrical characterization of insulator-semiconductor systems based on graded band gap MBE HgCdTe with atomic layer deposited Al2O3 films for infrared detector passivation (Record no. 474526)

000 -Маркер записи
Контрольное поле постоянной длины 02589nab a2200409 c 4500
001 - Контрольный номер
Контрольное поле vtls000788894
005 - Дата корректировки
Контрольное поле 20230319221614.0
007 - Кодируемые данные (физ. описан.)
Контрольное поле постоянной длины cr |
008 - Кодируемые данные
Контрольное поле постоянной длины 201124|2018 enk s a eng dd
024 7# - Прочие стандартные номера
Стандартный номер 10.1016/j.vacuum.2018.09.054
Источник номера doi
035 ## - Системный контрольный номер
Системный контрольный номер to000788894
040 ## - Источник каталогиз.
Служба первич. каталог. RU-ToGU
Код языка каталог. rus
Служба, преобразующая запись RU-ToGU
245 10 - Заглавие
Заглавие Electrical characterization of insulator-semiconductor systems based on graded band gap MBE HgCdTe with atomic layer deposited Al2O3 films for infrared detector passivation
Ответственность A. V. Voytsekhovskiy, S. N. Nesmelov, S. M. Dzyadukh [et al.]
336 ## - Тип содержимого
Тип содержимого Текст
337 ## - Средство доступа
Средство доступа электронный
520 3# - Аннотация
Аннотация The electrical properties of MIS structures based on graded band gap Hg0.77Cd0.23Te grown by the molecular beam epitaxy method with the Al2O3 dielectric formed by the plasma enhanced atomic layer deposition method were investigated. It is established that for such structures the recharge of slow states takes place and significantly distorts the form of the capacitance-voltage (C-V) characteristics. A technique is proposed for constructing the C-V curves of HgCdTe MIS structures, which makes it possible to eliminate the effect of slow surface states. It is shown that Al2O3 films are suitable for passivation of infrared detectors due to small flat band voltages leading to the realization of the depletion or weak inversion modes. The hysteresis of electrical characteristics is eliminated when an intermediate CdTe layer with a thickness of about 0.2 μm is grown in situ during the epitaxial growth.
653 ## - Ключевые слова
Ключевые слова запрещенная зона
653 ## - Ключевые слова
Ключевые слова инфракрасные детекторы
653 ## - Ключевые слова
Ключевые слова C-V-характеристики
653 ## - Ключевые слова
Ключевые слова МДП-структуры
653 ## - Ключевые слова
Ключевые слова медленные поверхностные состояния
655 #4 - Термин индексирования — жанр/форма
Жанр/форма статьи в журналах
9 (RLIN) 879358
700 1# - Другие авторы
Другие авторы Nesmelov, Sergey N.
9 (RLIN) 101528
700 1# - Другие авторы
Другие авторы Dzyadukh, Stanislav M.
9 (RLIN) 95711
700 1# - Другие авторы
Другие авторы Varavin, Vasilii S.
9 (RLIN) 102908
700 1# - Другие авторы
Другие авторы Dvoretsky, Sergei A.
9 (RLIN) 101527
700 1# - Другие авторы
Другие авторы Mikhailov, Nikolay N.
9 (RLIN) 103757
700 1# - Другие авторы
Другие авторы Yakushev, Maxim V.
9 (RLIN) 102909
700 1# - Другие авторы
Другие авторы Sidorov, Georgiy Yu.
9 (RLIN) 478111
700 1# - Другие авторы
Другие авторы Voytsekhovskiy, Alexander V.
9 (RLIN) 91706
773 0# - Источник информации
Название источника Vacuum
Место и дата издания 2018
Прочая информация Vol. 158. P. 136-140
ISSN 0042-207X
852 4# - Местонахождение единицы хранения
Код организации-хранителя RU-ToGU
856 4# - Электронный адрес документа
URL <a href="http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000788894">http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000788894</a>
908 ## - Параметр входа данных
Параметр входа данных статья
999 ## - Системные контрольные номера (Koha)
biblionumber (Koha) 474526

No items available.