Normal view
MARC view
Electrical characterization of insulator-semiconductor systems based on graded band gap MBE HgCdTe with atomic layer deposited Al2O3 films for infrared detector passivation (Record no. 474526)
[ view plain ]
000 -Маркер записи | |
---|---|
Контрольное поле постоянной длины | 02589nab a2200409 c 4500 |
001 - Контрольный номер | |
Контрольное поле | vtls000788894 |
005 - Дата корректировки | |
Контрольное поле | 20230319221614.0 |
007 - Кодируемые данные (физ. описан.) | |
Контрольное поле постоянной длины | cr | |
008 - Кодируемые данные | |
Контрольное поле постоянной длины | 201124|2018 enk s a eng dd |
024 7# - Прочие стандартные номера | |
Стандартный номер | 10.1016/j.vacuum.2018.09.054 |
Источник номера | doi |
035 ## - Системный контрольный номер | |
Системный контрольный номер | to000788894 |
040 ## - Источник каталогиз. | |
Служба первич. каталог. | RU-ToGU |
Код языка каталог. | rus |
Служба, преобразующая запись | RU-ToGU |
245 10 - Заглавие | |
Заглавие | Electrical characterization of insulator-semiconductor systems based on graded band gap MBE HgCdTe with atomic layer deposited Al2O3 films for infrared detector passivation |
Ответственность | A. V. Voytsekhovskiy, S. N. Nesmelov, S. M. Dzyadukh [et al.] |
336 ## - Тип содержимого | |
Тип содержимого | Текст |
337 ## - Средство доступа | |
Средство доступа | электронный |
520 3# - Аннотация | |
Аннотация | The electrical properties of MIS structures based on graded band gap Hg0.77Cd0.23Te grown by the molecular beam epitaxy method with the Al2O3 dielectric formed by the plasma enhanced atomic layer deposition method were investigated. It is established that for such structures the recharge of slow states takes place and significantly distorts the form of the capacitance-voltage (C-V) characteristics. A technique is proposed for constructing the C-V curves of HgCdTe MIS structures, which makes it possible to eliminate the effect of slow surface states. It is shown that Al2O3 films are suitable for passivation of infrared detectors due to small flat band voltages leading to the realization of the depletion or weak inversion modes. The hysteresis of electrical characteristics is eliminated when an intermediate CdTe layer with a thickness of about 0.2 μm is grown in situ during the epitaxial growth. |
653 ## - Ключевые слова | |
Ключевые слова | запрещенная зона |
653 ## - Ключевые слова | |
Ключевые слова | инфракрасные детекторы |
653 ## - Ключевые слова | |
Ключевые слова | C-V-характеристики |
653 ## - Ключевые слова | |
Ключевые слова | МДП-структуры |
653 ## - Ключевые слова | |
Ключевые слова | медленные поверхностные состояния |
655 #4 - Термин индексирования — жанр/форма | |
Жанр/форма | статьи в журналах |
9 (RLIN) | 879358 |
700 1# - Другие авторы | |
Другие авторы | Nesmelov, Sergey N. |
9 (RLIN) | 101528 |
700 1# - Другие авторы | |
Другие авторы | Dzyadukh, Stanislav M. |
9 (RLIN) | 95711 |
700 1# - Другие авторы | |
Другие авторы | Varavin, Vasilii S. |
9 (RLIN) | 102908 |
700 1# - Другие авторы | |
Другие авторы | Dvoretsky, Sergei A. |
9 (RLIN) | 101527 |
700 1# - Другие авторы | |
Другие авторы | Mikhailov, Nikolay N. |
9 (RLIN) | 103757 |
700 1# - Другие авторы | |
Другие авторы | Yakushev, Maxim V. |
9 (RLIN) | 102909 |
700 1# - Другие авторы | |
Другие авторы | Sidorov, Georgiy Yu. |
9 (RLIN) | 478111 |
700 1# - Другие авторы | |
Другие авторы | Voytsekhovskiy, Alexander V. |
9 (RLIN) | 91706 |
773 0# - Источник информации | |
Название источника | Vacuum |
Место и дата издания | 2018 |
Прочая информация | Vol. 158. P. 136-140 |
ISSN | 0042-207X |
852 4# - Местонахождение единицы хранения | |
Код организации-хранителя | RU-ToGU |
856 4# - Электронный адрес документа | |
URL | <a href="http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000788894">http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000788894</a> |
908 ## - Параметр входа данных | |
Параметр входа данных | статья |
999 ## - Системные контрольные номера (Koha) | |
biblionumber (Koha) | 474526 |
No items available.