Normal view
MARC view
Luminescence studies of HgCdTe‑ and InAsSb‑based quantum‑well structures (Record no. 473393)
[ view plain ]
| 000 -Маркер записи | |
|---|---|
| Контрольное поле постоянной длины | 02428nab a2200421 i 4500 |
| 001 - Контрольный номер | |
| Контрольное поле | vtls000788008 |
| 005 - Дата корректировки | |
| Контрольное поле | 20230319221445.0 |
| 007 - Кодируемые данные (физ. описан.) | |
| Контрольное поле постоянной длины | cr | |
| 008 - Кодируемые данные | |
| Контрольное поле постоянной длины | 201112|2019 sz s a eng dd |
| 024 7# - Прочие стандартные номера | |
| Стандартный номер | 10.1007/s13204-018-0760-6 |
| Источник номера | doi |
| 035 ## - Системный контрольный номер | |
| Системный контрольный номер | to000788008 |
| 040 ## - Источник каталогиз. | |
| Служба первич. каталог. | RU-ToGU |
| Код языка каталог. | rus |
| Служба, преобразующая запись | RU-ToGU |
| 245 10 - Заглавие | |
| Заглавие | Luminescence studies of HgCdTe‑ and InAsSb‑based quantum‑well structures |
| Ответственность | I. I. Izhnin, A. I. Izhnin, O. I. Fitsych [et al.] |
| 336 ## - Тип содержимого | |
| Тип содержимого | Текст |
| 337 ## - Средство доступа | |
| Средство доступа | электронный |
| 504 ## - Библиография | |
| Библиография | Библиогр.: с. 622 |
| 520 3# - Аннотация | |
| Аннотация | Results of photoluminescence studies of single-quantum-well HgCdTe-based structures and electroluminescence studies of multiple-quantum-well InAsSb-based structures are reported. HgCdTe structures were grown with molecular beam epitaxy on GaAs substrates. InAsSb-based structures were grown with metal-organic chemical vapor deposition on InAs substrates. The common feature of luminescence spectra of all the structures was the presence of peaks with the energy much larger than that of calculated optical transitions between the first quantization levels for electrons and heavy holes. Possibility of observation of optical transitions between the quantization levels of electrons and first and/or second heavy and light hole levels is discussed in the paper in relation to the specifics of the electronic structure of the materials under consideration. |
| 653 ## - Ключевые слова | |
| Ключевые слова | квантовые ямы |
| 653 ## - Ключевые слова | |
| Ключевые слова | оптические переходы |
| 653 ## - Ключевые слова | |
| Ключевые слова | люминесценция |
| 653 ## - Ключевые слова | |
| Ключевые слова | узкозонные полупроводники |
| 655 #4 - Термин индексирования — жанр/форма | |
| Жанр/форма | статьи в журналах |
| 9 (RLIN) | 879358 |
| 700 1# - Другие авторы | |
| Другие авторы | Izhnin, A. I. |
| 9 (RLIN) | 111822 |
| 700 1# - Другие авторы | |
| Другие авторы | Fitsych, Olena I. |
| 9 (RLIN) | 102906 |
| 700 1# - Другие авторы | |
| Другие авторы | Voytsekhovskiy, Alexander V. |
| 9 (RLIN) | 91706 |
| 700 1# - Другие авторы | |
| Другие авторы | Gorn, Dmitriy Igorevich |
| 9 (RLIN) | 167622 |
| 700 1# - Другие авторы | |
| Другие авторы | Semakova, A. A. |
| 9 (RLIN) | 506276 |
| 700 1# - Другие авторы | |
| Другие авторы | Bazhenov, N. L. |
| 9 (RLIN) | 111824 |
| 700 1# - Другие авторы | |
| Другие авторы | Mynbaev, Karim D. |
| 9 (RLIN) | 111823 |
| 700 1# - Другие авторы | |
| Другие авторы | Zegrya, G. G. |
| 9 (RLIN) | 506277 |
| 700 1# - Другие авторы | |
| Другие авторы | Izhnin, Igor I. |
| 9 (RLIN) | 102905 |
| 773 0# - Источник информации | |
| Название источника | Applied nanoscience |
| Место и дата издания | 2019 |
| Прочая информация | Vol. 9, № 5. P. 617-622 |
| ISSN | 2190-5509 |
| 852 4# - Местонахождение единицы хранения | |
| Код организации-хранителя | RU-ToGU |
| 856 4# - Электронный адрес документа | |
| URL | <a href="http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000788008">http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000788008</a> |
| 908 ## - Параметр входа данных | |
| Параметр входа данных | статья |
| 999 ## - Системные контрольные номера (Koha) | |
| biblionumber (Koha) | 473393 |
No items available.