Normal view
MARC view
Quantum anomalous Hall conductivity in 3D magnetic topological insulator/normal insulator heterostructures (Record no. 470146)
[ view plain ]
000 -Маркер записи | |
---|---|
Контрольное поле постоянной длины | 02187nab a2200313 c 4500 |
001 - Контрольный номер | |
Контрольное поле | vtls000723507 |
005 - Дата корректировки | |
Контрольное поле | 20230319221044.0 |
007 - Кодируемые данные (физ. описан.) | |
Контрольное поле постоянной длины | cr | |
008 - Кодируемые данные | |
Контрольное поле постоянной длины | 200831|2018 ne s a eng dd |
024 7# - Прочие стандартные номера | |
Стандартный номер | 10.1016/j.jmmm.2017.09.054 |
Источник номера | doi |
035 ## - Системный контрольный номер | |
Системный контрольный номер | to000723507 |
040 ## - Источник каталогиз. | |
Служба первич. каталог. | RU-ToGU |
Код языка каталог. | rus |
Служба, преобразующая запись | RU-ToGU |
245 10 - Заглавие | |
Заглавие | Quantum anomalous Hall conductivity in 3D magnetic topological insulator/normal insulator heterostructures |
Ответственность | V. V. Tugushev, V. N. Menshov, I. A. Shvets, E. V. Chulkov |
520 3# - Аннотация | |
Аннотация | Today, searching for materials hosting quantum anomalous Hall effect (QAHE) at high temperature and with long conductivity plateau is an important issue for next generation spintronic applications at nanoscale. In this article, we discuss a quantized spin Hall response in heterostructures composed of a three-dimensional topological insulator (TI) film and a ferromagnetic normal insulator (FMNI). The magnetic proximity effect at the TI/FMNI interface provides exchange splitting of the topological states in the TI film. We predict analytically that the FMNI/TI/FMNI trilayer can be driven into the QAHE state either from the topologically trivial state or the quantum spin Hall state, depending on the TI film thickness and the interface potential. We calculate the corresponding phase diagram of the FMNI/TI/FMNI trilayer. Our results provide a useful guide to realize the QAHE regime in the TI/FMNI heterostructures. |
653 ## - Ключевые слова | |
Ключевые слова | топологические изоляторы |
653 ## - Ключевые слова | |
Ключевые слова | гетероструктуры |
653 ## - Ключевые слова | |
Ключевые слова | Холла квантовый эффект |
655 #4 - Термин индексирования — жанр/форма | |
Жанр/форма | статьи в журналах |
9 (RLIN) | 879358 |
700 1# - Другие авторы | |
Другие авторы | Menshov, V. N. |
9 (RLIN) | 101643 |
700 1# - Другие авторы | |
Другие авторы | Shvets, I. A. |
9 (RLIN) | 492247 |
700 1# - Другие авторы | |
Другие авторы | Chulkov, Evgueni V. |
9 (RLIN) | 89119 |
700 1# - Другие авторы | |
Другие авторы | Tugushev, V. V. |
9 (RLIN) | 167673 |
773 0# - Источник информации | |
Название источника | Journal of magnetism and magnetic materials |
Место и дата издания | 2018 |
Прочая информация | Vol. 459. P. 335-339 |
ISSN | 0304-8853 |
852 4# - Местонахождение единицы хранения | |
Код организации-хранителя | RU-ToGU |
856 4# - Электронный адрес документа | |
URL | <a href="http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000723507">http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000723507</a> |
908 ## - Параметр входа данных | |
Параметр входа данных | статья |
999 ## - Системные контрольные номера (Koha) | |
biblionumber (Koha) | 470146 |
No items available.