Normal view
MARC view
Peculiarities of modeling the frequency dependences of admittance of MIS structure based on organic P3HT film with an insulator Al2O3 layer (Record no. 465013)
[ view plain ]
| 000 -Маркер записи | |
|---|---|
| Контрольное поле постоянной длины | 02165nab a2200337 c 4500 |
| 001 - Контрольный номер | |
| Контрольное поле | vtls000707751 |
| 005 - Дата корректировки | |
| Контрольное поле | 20230319220355.0 |
| 007 - Кодируемые данные (физ. описан.) | |
| Контрольное поле постоянной длины | cr | |
| 008 - Кодируемые данные | |
| Контрольное поле постоянной длины | 200310|2019 ru s a eng dd |
| 024 7# - Прочие стандартные номера | |
| Стандартный номер | 10.1007/s11182-019-01646-7 |
| Источник номера | doi |
| 035 ## - Системный контрольный номер | |
| Системный контрольный номер | to000707751 |
| 040 ## - Источник каталогиз. | |
| Служба первич. каталог. | RU-ToGU |
| Код языка каталог. | rus |
| Служба, преобразующая запись | RU-ToGU |
| 100 1# - Автор | |
| Автор | Voytsekhovskiy, Alexander V. |
| 9 (RLIN) | 91706 |
| 245 10 - Заглавие | |
| Заглавие | Peculiarities of modeling the frequency dependences of admittance of MIS structure based on organic P3HT film with an insulator Al2O3 layer |
| Ответственность | A. V. Voytsekhovskiy, S. N. Nesmelov, S. M. Dzyadukh |
| 504 ## - Библиография | |
| Библиография | Библиогр.: 36 назв. |
| 520 3# - Аннотация | |
| Аннотация | For the depletion and accumulation modes, equivalent circuits of MIS structure based on an organic P3HT thin film with an Al2O3 insulator are proposed. The frequency dependences of the capacitance and conductance of an organic MIS structure were simulated at a temperature of 300 K in the frequency range of 20 Hz – 2 MHz. It is shown that the measured values of the capacitance and conductance substantially depend on the thickness of the insulator layer, the thickness and specific conductance of the organic film, the parameters of surface traps, the frequency and bias voltage. Methods for determining the values of the basic elements of the equivalent circuit for the correct characterization of traps at the inorganic insulator – organic film interface are described. |
| 653 ## - Ключевые слова | |
| Ключевые слова | органические полупроводники |
| 653 ## - Ключевые слова | |
| Ключевые слова | адмиттанс |
| 653 ## - Ключевые слова | |
| Ключевые слова | тонкие пленки |
| 653 ## - Ключевые слова | |
| Ключевые слова | МДП-структуры |
| 653 ## - Ключевые слова | |
| Ключевые слова | частотные зависимости |
| 655 #4 - Термин индексирования — жанр/форма | |
| Жанр/форма | статьи в журналах |
| 9 (RLIN) | 879358 |
| 700 1# - Другие авторы | |
| Другие авторы | Nesmelov, Sergey N. |
| 9 (RLIN) | 101528 |
| 700 1# - Другие авторы | |
| Другие авторы | Dzyadukh, Stanislav M. |
| 9 (RLIN) | 95711 |
| 773 0# - Источник информации | |
| Название источника | Russian physics journal |
| Место и дата издания | 2019 |
| Прочая информация | Vol. 61, № 11. P. 2126-2134 |
| ISSN | 1064-8887 |
| 852 4# - Местонахождение единицы хранения | |
| Код организации-хранителя | RU-ToGU |
| 856 4# - Электронный адрес документа | |
| URL | <a href="http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000707751">http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000707751</a> |
| 908 ## - Параметр входа данных | |
| Параметр входа данных | статья |
| 999 ## - Системные контрольные номера (Koha) | |
| biblionumber (Koha) | 465013 |
No items available.