Scientific Library of Tomsk State University

   E-catalog        

Normal view MARC view

Unique thickness-dependent properties of the van der Waals interlayer antiferromagnet MnBi2Te4 films (Record no. 463629)

000 -Маркер записи
Контрольное поле постоянной длины 02432nab a2200397 c 4500
001 - Контрольный номер
Контрольное поле vtls000674593
005 - Дата корректировки
Контрольное поле 20231201165549.0
007 - Кодируемые данные (физ. описан.)
Контрольное поле постоянной длины cr |
008 - Кодируемые данные
Контрольное поле постоянной длины 200131|2019 xxu s a eng d
024 7# - Прочие стандартные номера
Стандартный номер 10.1103/PhysRevLett.122.107202
Источник номера doi
035 ## - Системный контрольный номер
Системный контрольный номер to000674593
040 ## - Источник каталогиз.
Служба первич. каталог. RU-ToGU
Код языка каталог. rus
Служба, преобразующая запись RU-ToGU
245 10 - Заглавие
Заглавие Unique thickness-dependent properties of the van der Waals interlayer antiferromagnet MnBi2Te4 films
Ответственность M. M. Otrokov, I. P. Rusinov, M. Blanco-Rey [et al.]
504 ## - Библиография
Библиография Библиогр.: 65 назв.
520 3# - Аннотация
Аннотация Using density functional theory and Monte Carlo calculations, we study the thickness dependence of the magnetic and electronic properties of a van der Waals interlayer antiferromagnet in the two-dimensional limit. Considering MnBi2Te4 as a model material, we find it to demonstrate a remarkable set of thickness-dependent magnetic and topological transitions. While a single septuple layer block of MnBi2Te4 is a topologically trivial ferromagnet, the thicker films made of an odd (even) number of blocks are uncompensated (compensated) interlayer antiferromagnets, which show wide band gap quantum anomalous Hall (zero plateau quantum anomalous Hall) states. Thus, MnBi2Te4 is the first stoichiometric material predicted to realize the zero plateau quantum anomalous Hall state intrinsically. This state has been theoretically shown to host the exotic axion insulator phase.
653 ## - Ключевые слова
Ключевые слова антиферромагнетики
653 ## - Ключевые слова
Ключевые слова магнитные свойства
653 ## - Ключевые слова
Ключевые слова электронные свойства
655 #4 - Термин индексирования — жанр/форма
Жанр/форма статьи в журналах
9 (RLIN) 879358
700 1# - Другие авторы
Другие авторы Rusinov, Igor P.
9 (RLIN) 220490
700 1# - Другие авторы
Другие авторы Blanco-Rey, Maria
9 (RLIN) 500722
700 1# - Другие авторы
Другие авторы Hoffmann, M.
9 (RLIN) 417720
700 1# - Другие авторы
Другие авторы Vyazovskaya, Alexandra Yu.
9 (RLIN) 500723
700 1# - Другие авторы
Другие авторы Eremeev, Sergey V.
9 (RLIN) 89116
700 1# - Другие авторы
Другие авторы Ernst, Arthur
9 (RLIN) 148312
700 1# - Другие авторы
Другие авторы Echenique, Pedro Miguel
9 (RLIN) 117781
700 1# - Другие авторы
Другие авторы Arnau, Andrés
9 (RLIN) 438707
700 1# - Другие авторы
Другие авторы Chulkov, Evgueni V.
9 (RLIN) 89119
700 1# - Другие авторы
Другие авторы Otrokov, Mikhail M.
9 (RLIN) 99558
773 0# - Источник информации
Название источника Physical Review Letters
Место и дата издания 2019
Прочая информация Vol. 122, № 10. P. 107202-1-107202-6
ISSN 0031-9007
852 4# - Местонахождение единицы хранения
Код организации-хранителя RU-ToGU
856 4# - Электронный адрес документа
URL <a href="http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000674593">http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000674593</a>
908 ## - Параметр входа данных
Параметр входа данных статья
999 ## - Системные контрольные номера (Koha)
biblionumber (Koha) 463629

No items available.