Scientific Library of Tomsk State University

   E-catalog        

Normal view MARC view

Magneto-transport in inverted HgTe quantum wells (Record no. 462332)

000 -Маркер записи
Контрольное поле постоянной длины 03071nab a2200517 c 4500
001 - Контрольный номер
Контрольное поле vtls000673868
005 - Дата корректировки
Контрольное поле 20230319220022.0
007 - Кодируемые данные (физ. описан.)
Контрольное поле постоянной длины cr |
008 - Кодируемые данные
Контрольное поле постоянной длины 200121|2019 enk s a eng d
024 7# - Прочие стандартные номера
Стандартный номер 10.1038/s41535-019-0154-3
Источник номера doi
035 ## - Системный контрольный номер
Системный контрольный номер to000673868
040 ## - Источник каталогиз.
Служба первич. каталог. RU-ToGU
Код языка каталог. rus
Служба, преобразующая запись RU-ToGU
245 10 - Заглавие
Заглавие Magneto-transport in inverted HgTe quantum wells
Ответственность I. Yahniuk, S. S. Krishtopenko, G. Grabecki [et al.]
504 ## - Библиография
Библиография Библиогр.: 55 назв.
520 3# - Аннотация
Аннотация HgTe quantum wells (QWs) are two-dimensional semiconductor systems that change their properties at the critical thickness dc, corresponding to the band inversion and topological phase transition. The motivation of this work was to study magnetotransport properties of HgTe QWs with thickness approaching dc, and examine them as potential candidates for quantum Hall effect (QHE) resistance standards. We show that in the case of d > dc (inverted QWs), the quantization is influenced by coexistence of topological helical edge states and QHE chiral states. However, at d ≈ dc, where QW states exhibit a graphene-like band structure, an accurate Hall resistance quantization in low magnetic fields (B ≤ 1.4 T) and at relatively high temperatures (T ≥ 1.3 K) may be achieved. We observe wider and more robust quantized QHE plateaus for holes, which suggests—in accordance with the “charge reservoir” model—a pinning of the Fermi level in the valence band region. Our analysis exhibits advantages and drawbacks of HgTe QWs for quantum metrology applications, as compared to graphene and GaAs counterparts.
653 ## - Ключевые слова
Ключевые слова квантовые ямы
653 ## - Ключевые слова
Ключевые слова теллурид ртути
653 ## - Ключевые слова
Ключевые слова магнитотранспортные свойства
653 ## - Ключевые слова
Ключевые слова Холла квантовый эффект
655 #4 - Термин индексирования — жанр/форма
Жанр/форма статьи в журналах
9 (RLIN) 879358
700 1# - Другие авторы
Другие авторы Krishtopenko, Sergey S.
9 (RLIN) 499766
700 1# - Другие авторы
Другие авторы Grabecki, Grzegorz
9 (RLIN) 499767
700 1# - Другие авторы
Другие авторы Jouault, Benoit
9 (RLIN) 499768
700 1# - Другие авторы
Другие авторы Consejo, Christophe
9 (RLIN) 499769
700 1# - Другие авторы
Другие авторы Desrat, Wilfried
9 (RLIN) 499770
700 1# - Другие авторы
Другие авторы Kadykov, Alexander M.
9 (RLIN) 499771
700 1# - Другие авторы
Другие авторы Spirin, Kirill E.
9 (RLIN) 499772
700 1# - Другие авторы
Другие авторы Gavrilenko, Vladimir I.
9 (RLIN) 496843
700 1# - Другие авторы
Другие авторы Mikhailov, Nikolay N.
9 (RLIN) 103757
700 1# - Другие авторы
Другие авторы Dvoretsky, Sergei A.
9 (RLIN) 101527
700 1# - Другие авторы
Другие авторы But, Dmytro B.
9 (RLIN) 499773
700 1# - Другие авторы
Другие авторы Teppe, Frederic
9 (RLIN) 496842
700 1# - Другие авторы
Другие авторы Wróbel, Jerzy
9 (RLIN) 499774
700 1# - Другие авторы
Другие авторы Cywiński, Grzegorz
9 (RLIN) 499775
700 1# - Другие авторы
Другие авторы Kret, Sławomir
9 (RLIN) 499776
700 1# - Другие авторы
Другие авторы Dietl, Tomasz
9 (RLIN) 499777
700 1# - Другие авторы
Другие авторы Knap, Wojciech
9 (RLIN) 499778
700 1# - Другие авторы
Другие авторы Yahniuk, Ivan
9 (RLIN) 499779
700 1# - Другие авторы
Другие авторы Majewicz, Magdalena
9 (RLIN) 499780
773 0# - Источник информации
Название источника npj Quantum materials
Место и дата издания 2019
Прочая информация Vol. 4. P. 13 (1-8)
ISSN 2397-4648
852 4# - Местонахождение единицы хранения
Код организации-хранителя RU-ToGU
856 4# - Электронный адрес документа
URL <a href="http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000673868">http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000673868</a>
908 ## - Параметр входа данных
Параметр входа данных статья
999 ## - Системные контрольные номера (Koha)
biblionumber (Koha) 462332

No items available.