Normal view
MARC view
Arsenic-ion implantation-induced defects in HgCdTe films studied with Hall-effect measurements and mobility spectrum analysis (Record no. 461430)
[ view plain ]
000 -Маркер записи | |
---|---|
Контрольное поле постоянной длины | 03053nab a2200481 c 4500 |
001 - Контрольный номер | |
Контрольное поле | vtls000673792 |
005 - Дата корректировки | |
Контрольное поле | 20230319215919.0 |
007 - Кодируемые данные (физ. описан.) | |
Контрольное поле постоянной длины | cr | |
008 - Кодируемые данные | |
Контрольное поле постоянной длины | 200120|2019 ne s a eng dd |
024 7# - Прочие стандартные номера | |
Стандартный номер | 10.1016/j.infrared.2019.03.019 |
Источник номера | doi |
035 ## - Системный контрольный номер | |
Системный контрольный номер | to000673792 |
040 ## - Источник каталогиз. | |
Служба первич. каталог. | RU-ToGU |
Код языка каталог. | rus |
Служба, преобразующая запись | RU-ToGU |
245 10 - Заглавие | |
Заглавие | Arsenic-ion implantation-induced defects in HgCdTe films studied with Hall-effect measurements and mobility spectrum analysis |
Ответственность | I. I. Izhnin, K. D. Mynbaev, A. V. Voitsekhovsky [et al.] |
504 ## - Библиография | |
Библиография | Библиогр.: 26 назв. |
520 3# - Аннотация | |
Аннотация | The Hall-effect/electrical conductivity measurements and mobility spectrum analysis (MSA) have been used for the study of the profiles of different electron species and corresponding defects induced in a HgCdTe film by implantation of arsenic ions. Two specific donor defects were revealed as a result of extracting parameters of different carrier species found with MSA. Identification of the defects was performed with the use of the data acquired with transmission electron microscopy and the literature data on Rutherford backscattering. It was found that low-mobility (∼5000 cm2/(V·s)) electrons originated from donor centers formed when mercury interstitials were captured by implantation-induced dislocation loops, while middle-mobility (∼20,000 cm2/(V·s)) electrons were due to donor centers formed when the interstitials were captured by quasi-point radiation defects. For comparison, profiling was also performed with the single-field differential Hall-effect measurements. The results of the study suggest that only MSA-assisted carrier profiling is capable of retrieving actual defect profiles in ion-implanted HgCdTe. |
653 ## - Ключевые слова | |
Ключевые слова | Холла эффект |
653 ## - Ключевые слова | |
Ключевые слова | просвечивающая электронная микроскопия |
653 ## - Ключевые слова | |
Ключевые слова | ионы мышьяка |
653 ## - Ключевые слова | |
Ключевые слова | HgCdTe пленки |
653 ## - Ключевые слова | |
Ключевые слова | электрические свойства |
655 #4 - Термин индексирования — жанр/форма | |
Жанр/форма | статьи в журналах |
9 (RLIN) | 879358 |
700 1# - Другие авторы | |
Другие авторы | Mynbaev, Karim D. |
9 (RLIN) | 111823 |
700 1# - Другие авторы | |
Другие авторы | Voytsekhovskiy, Alexander V. |
9 (RLIN) | 91706 |
700 1# - Другие авторы | |
Другие авторы | Korotaev, Alexander G. |
9 (RLIN) | 106335 |
700 1# - Другие авторы | |
Другие авторы | Syvorotka, I. I. |
9 (RLIN) | 445231 |
700 1# - Другие авторы | |
Другие авторы | Fitsych, Olena I. |
9 (RLIN) | 102906 |
700 1# - Другие авторы | |
Другие авторы | Varavin, Vasilii S. |
9 (RLIN) | 102908 |
700 1# - Другие авторы | |
Другие авторы | Dvoretsky, Sergei A. |
9 (RLIN) | 101527 |
700 1# - Другие авторы | |
Другие авторы | Mikhailov, Nikolay N. |
9 (RLIN) | 103757 |
700 1# - Другие авторы | |
Другие авторы | Remesnik, V. G. |
9 (RLIN) | 445232 |
700 1# - Другие авторы | |
Другие авторы | Yakushev, Maxim V. |
9 (RLIN) | 102909 |
700 1# - Другие авторы | |
Другие авторы | Świątek, Zbigniew |
9 (RLIN) | 264267 |
700 1# - Другие авторы | |
Другие авторы | Morgiel, Jerzy |
9 (RLIN) | 106334 |
700 1# - Другие авторы | |
Другие авторы | Bonchyk, A. Yu. |
9 (RLIN) | 100966 |
700 1# - Другие авторы | |
Другие авторы | Savytskyy, Hrygory V. |
9 (RLIN) | 102907 |
700 1# - Другие авторы | |
Другие авторы | Izhnin, Igor I. |
9 (RLIN) | 102905 |
773 0# - Источник информации | |
Название источника | Infrared physics and technology |
Место и дата издания | 2019 |
Прочая информация | Vol. 98. P. 230-235 |
ISSN | 1350-4495 |
852 4# - Местонахождение единицы хранения | |
Код организации-хранителя | RU-ToGU |
856 4# - Электронный адрес документа | |
URL | <a href="http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000673792">http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000673792</a> |
908 ## - Параметр входа данных | |
Параметр входа данных | статья |
999 ## - Системные контрольные номера (Koha) | |
biblionumber (Koha) | 461430 |
No items available.