Scientific Library of Tomsk State University

   E-catalog        

Normal view MARC view

Arsenic-ion implantation-induced defects in HgCdTe films studied with Hall-effect measurements and mobility spectrum analysis (Record no. 461430)

000 -Маркер записи
Контрольное поле постоянной длины 03053nab a2200481 c 4500
001 - Контрольный номер
Контрольное поле vtls000673792
005 - Дата корректировки
Контрольное поле 20230319215919.0
007 - Кодируемые данные (физ. описан.)
Контрольное поле постоянной длины cr |
008 - Кодируемые данные
Контрольное поле постоянной длины 200120|2019 ne s a eng dd
024 7# - Прочие стандартные номера
Стандартный номер 10.1016/j.infrared.2019.03.019
Источник номера doi
035 ## - Системный контрольный номер
Системный контрольный номер to000673792
040 ## - Источник каталогиз.
Служба первич. каталог. RU-ToGU
Код языка каталог. rus
Служба, преобразующая запись RU-ToGU
245 10 - Заглавие
Заглавие Arsenic-ion implantation-induced defects in HgCdTe films studied with Hall-effect measurements and mobility spectrum analysis
Ответственность I. I. Izhnin, K. D. Mynbaev, A. V. Voitsekhovsky [et al.]
504 ## - Библиография
Библиография Библиогр.: 26 назв.
520 3# - Аннотация
Аннотация The Hall-effect/electrical conductivity measurements and mobility spectrum analysis (MSA) have been used for the study of the profiles of different electron species and corresponding defects induced in a HgCdTe film by implantation of arsenic ions. Two specific donor defects were revealed as a result of extracting parameters of different carrier species found with MSA. Identification of the defects was performed with the use of the data acquired with transmission electron microscopy and the literature data on Rutherford backscattering. It was found that low-mobility (∼5000 cm2/(V·s)) electrons originated from donor centers formed when mercury interstitials were captured by implantation-induced dislocation loops, while middle-mobility (∼20,000 cm2/(V·s)) electrons were due to donor centers formed when the interstitials were captured by quasi-point radiation defects. For comparison, profiling was also performed with the single-field differential Hall-effect measurements. The results of the study suggest that only MSA-assisted carrier profiling is capable of retrieving actual defect profiles in ion-implanted HgCdTe.
653 ## - Ключевые слова
Ключевые слова Холла эффект
653 ## - Ключевые слова
Ключевые слова просвечивающая электронная микроскопия
653 ## - Ключевые слова
Ключевые слова ионы мышьяка
653 ## - Ключевые слова
Ключевые слова HgCdTe пленки
653 ## - Ключевые слова
Ключевые слова электрические свойства
655 #4 - Термин индексирования — жанр/форма
Жанр/форма статьи в журналах
9 (RLIN) 879358
700 1# - Другие авторы
Другие авторы Mynbaev, Karim D.
9 (RLIN) 111823
700 1# - Другие авторы
Другие авторы Voytsekhovskiy, Alexander V.
9 (RLIN) 91706
700 1# - Другие авторы
Другие авторы Korotaev, Alexander G.
9 (RLIN) 106335
700 1# - Другие авторы
Другие авторы Syvorotka, I. I.
9 (RLIN) 445231
700 1# - Другие авторы
Другие авторы Fitsych, Olena I.
9 (RLIN) 102906
700 1# - Другие авторы
Другие авторы Varavin, Vasilii S.
9 (RLIN) 102908
700 1# - Другие авторы
Другие авторы Dvoretsky, Sergei A.
9 (RLIN) 101527
700 1# - Другие авторы
Другие авторы Mikhailov, Nikolay N.
9 (RLIN) 103757
700 1# - Другие авторы
Другие авторы Remesnik, V. G.
9 (RLIN) 445232
700 1# - Другие авторы
Другие авторы Yakushev, Maxim V.
9 (RLIN) 102909
700 1# - Другие авторы
Другие авторы Świątek, Zbigniew
9 (RLIN) 264267
700 1# - Другие авторы
Другие авторы Morgiel, Jerzy
9 (RLIN) 106334
700 1# - Другие авторы
Другие авторы Bonchyk, A. Yu.
9 (RLIN) 100966
700 1# - Другие авторы
Другие авторы Savytskyy, Hrygory V.
9 (RLIN) 102907
700 1# - Другие авторы
Другие авторы Izhnin, Igor I.
9 (RLIN) 102905
773 0# - Источник информации
Название источника Infrared physics and technology
Место и дата издания 2019
Прочая информация Vol. 98. P. 230-235
ISSN 1350-4495
852 4# - Местонахождение единицы хранения
Код организации-хранителя RU-ToGU
856 4# - Электронный адрес документа
URL <a href="http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000673792">http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000673792</a>
908 ## - Параметр входа данных
Параметр входа данных статья
999 ## - Системные контрольные номера (Koha)
biblionumber (Koha) 461430

No items available.