Normal view
MARC view
Studying the formation of Si (100) stepped surface in molecular-beam epitaxy (Record no. 456784)
[ view plain ]
| 000 -Маркер записи | |
|---|---|
| Контрольное поле постоянной длины | 02183nab a2200325 c 4500 |
| 001 - Контрольный номер | |
| Контрольное поле | vtls000660038 |
| 005 - Дата корректировки | |
| Контрольное поле | 20230319215335.0 |
| 007 - Кодируемые данные (физ. описан.) | |
| Контрольное поле постоянной длины | cr | |
| 008 - Кодируемые данные | |
| Контрольное поле постоянной длины | 190703|2018 ru s a eng dd |
| 024 7# - Прочие стандартные номера | |
| Стандартный номер | 10.1007/s11182-018-1519-y |
| Источник номера | doi |
| 035 ## - Системный контрольный номер | |
| Системный контрольный номер | to000660038 |
| 040 ## - Источник каталогиз. | |
| Служба первич. каталог. | RU-ToGU |
| Код языка каталог. | rus |
| Служба, преобразующая запись | RU-ToGU |
| 245 10 - Заглавие | |
| Заглавие | Studying the formation of Si (100) stepped surface in molecular-beam epitaxy |
| Ответственность | M. Yu. Esin, Yu. Yu. Hervieu, V. A. Timofeev, A. I. Nikiforov |
| 504 ## - Библиография | |
| Библиография | Библиогр.: 14 назв. |
| 520 3# - Аннотация | |
| Аннотация | Experimental studies of the formation of a stepped surface structure during molecular-beam epitaxy of silicon on a Si (100) substrate have been carried out in wide ranges of variation of the substrate temperature and silicon growth rate. The conditions of the transition from a two-domain structure of the Si (100) surface to a single-domain structure associated with the formation of diatomic steps are determined using reflection high-energy electron diffraction. It is shown that the effect of an increase in the substrate temperature on the transition to a single-domain structure is non-monotonic: a single-domain surface forms in the region of relatively low temperatures, whereas a two-domain surface forms at high temperatures. The transition to a single-domain structure during the experiment is possible only, if the silicon growth rate is increased above a certain minimum value. |
| 653 ## - Ключевые слова | |
| Ключевые слова | молекулярно-лучевая эпитаксия |
| 653 ## - Ключевые слова | |
| Ключевые слова | молекулярные пучки |
| 653 ## - Ключевые слова | |
| Ключевые слова | кремниевые подложки |
| 655 #4 - Термин индексирования — жанр/форма | |
| Жанр/форма | статьи в журналах |
| 9 (RLIN) | 879358 |
| 700 1# - Другие авторы | |
| Другие авторы | Hervieu, Yurij Yurevich |
| 9 (RLIN) | 93226 |
| 700 1# - Другие авторы | |
| Другие авторы | Timofeev, V. A. |
| 9 (RLIN) | 357106 |
| 700 1# - Другие авторы | |
| Другие авторы | Nikiforov, Alexander I. |
| 9 (RLIN) | 95710 |
| 700 1# - Другие авторы | |
| Другие авторы | Esin, M. Yu. |
| 9 (RLIN) | 496558 |
| 773 0# - Источник информации | |
| Название источника | Russian physics journal |
| Место и дата издания | 2018 |
| Прочая информация | Vol. 61, № 7. P. 1210-1214 |
| ISSN | 1064-8887 |
| 852 4# - Местонахождение единицы хранения | |
| Код организации-хранителя | RU-ToGU |
| 856 4# - Электронный адрес документа | |
| URL | <a href="http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000660038">http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000660038</a> |
| 908 ## - Параметр входа данных | |
| Параметр входа данных | статья |
| 999 ## - Системные контрольные номера (Koha) | |
| biblionumber (Koha) | 456784 |
No items available.