Normal view
MARC view
Electron-phonon interaction in the 4/3-monolayer of Pb on Si(111):theory versus He-atom scattering experiments (Record no. 454356)
[ view plain ]
000 -Маркер записи | |
---|---|
Контрольное поле постоянной длины | 02136nab a2200361 c 4500 |
001 - Контрольный номер | |
Контрольное поле | vtls000656153 |
005 - Дата корректировки | |
Контрольное поле | 20230319215027.0 |
007 - Кодируемые данные (физ. описан.) | |
Контрольное поле постоянной длины | cr | |
008 - Кодируемые данные | |
Контрольное поле постоянной длины | 190514|2018 xxu s a eng dd |
024 7# - Прочие стандартные номера | |
Стандартный номер | 10.1021/acs.jpcc.8b10081 |
Источник номера | doi |
035 ## - Системный контрольный номер | |
Системный контрольный номер | to000656153 |
040 ## - Источник каталогиз. | |
Служба первич. каталог. | RU-ToGU |
Код языка каталог. | rus |
Служба, преобразующая запись | RU-ToGU |
245 10 - Заглавие | |
Заглавие | Electron-phonon interaction in the 4/3-monolayer of Pb on Si(111):theory versus He-atom scattering experiments |
Ответственность | I. Yu. Sklyadneva, G. Benedek, R. Heid [et al.] |
504 ## - Библиография | |
Библиография | Библиогр.: 37 назв. |
520 3# - Аннотация | |
Аннотация | The electron–phonon coupling parameter for a dense phase of a 4/3-monolayer of Pb on Si(111) is derived from the temperature dependence of He-atom scattering (HAS) reflectivity upon cooling from the high-temperature (1 × 1) to the low-temperature () phase. The obtained value and the phonon dispersion curves of the Pb nanofilm measured with HAS are in excellent agreement with the first-principles calculations when the influence of the substrate and the interface on the interaction of electrons and phonons is taken into account. Consideration of this effect is obviously very important for such small thicknesses as a single Pb wetting layer. An overall strong coupling constant, λ = 0.84 ± 0.07, is found. |
653 ## - Ключевые слова | |
Ключевые слова | электрон-фононное взаимодействие |
653 ## - Ключевые слова | |
Ключевые слова | нанопленки |
653 ## - Ключевые слова | |
Ключевые слова | подложка |
653 ## - Ключевые слова | |
Ключевые слова | границы раздела |
655 #4 - Термин индексирования — жанр/форма | |
Жанр/форма | статьи в журналах |
9 (RLIN) | 879358 |
700 1# - Другие авторы | |
Другие авторы | Benedek, G. |
9 (RLIN) | 403942 |
700 1# - Другие авторы | |
Другие авторы | Heid, Rolf |
9 (RLIN) | 117778 |
700 1# - Другие авторы | |
Другие авторы | Echenique, Pedro Miguel |
9 (RLIN) | 117781 |
700 1# - Другие авторы | |
Другие авторы | Toennies, J. P. |
9 (RLIN) | 319456 |
700 1# - Другие авторы | |
Другие авторы | Chulkov, Evgueni V. |
9 (RLIN) | 89119 |
700 1# - Другие авторы | |
Другие авторы | Sklyadneva, Irina Yu. |
9 (RLIN) | 117782 |
773 0# - Источник информации | |
Название источника | The Journal of Physical Chemistry C |
Место и дата издания | 2018 |
Прочая информация | Vol. 122, № 50. P. 29039-29043 |
ISSN | 1932-7447 |
852 4# - Местонахождение единицы хранения | |
Код организации-хранителя | RU-ToGU |
856 4# - Электронный адрес документа | |
URL | <a href="http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000656153">http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000656153</a> |
908 ## - Параметр входа данных | |
Параметр входа данных | статья |
999 ## - Системные контрольные номера (Koha) | |
biblionumber (Koha) | 454356 |
No items available.