Normal view
MARC view
Geometric and electronic structure of the Cs-doped Bi2Se3(0001) surface (Record no. 445702)
[ view plain ]
| 000 -Маркер записи | |
|---|---|
| Контрольное поле постоянной длины | 02920nab a2200469 c 4500 |
| 001 - Контрольный номер | |
| Контрольное поле | vtls000646780 |
| 005 - Дата корректировки | |
| Контрольное поле | 20231201165548.0 |
| 007 - Кодируемые данные (физ. описан.) | |
| Контрольное поле постоянной длины | cr | |
| 008 - Кодируемые данные | |
| Контрольное поле постоянной длины | 190110|2017 xxu s a eng d |
| 024 7# - Прочие стандартные номера | |
| Стандартный номер | 10.1103/PhysRevB.95.205429 |
| Источник номера | doi |
| 035 ## - Системный контрольный номер | |
| Системный контрольный номер | to000646780 |
| 040 ## - Источник каталогиз. | |
| Служба первич. каталог. | RU-ToGU |
| Код языка каталог. | rus |
| Служба, преобразующая запись | RU-ToGU |
| 245 10 - Заглавие | |
| Заглавие | Geometric and electronic structure of the Cs-doped Bi2Se3(0001) surface |
| Ответственность | M. M. Otrokov, A. Ernst, K. Mohseni [et al.] |
| 504 ## - Библиография | |
| Библиография | Библиогр.: 62 назв. |
| 520 3# - Аннотация | |
| Аннотация | Using surface x-ray diffraction and scanning tunneling microscopy in combination with first-principles calculations, we have studied the geometric and electronic structure of Cs-deposited Bi2Se3(0001) surface kept at room temperature. Two samples were investigated: a single Bi2Se3 crystal, whose surface was Ar sputtered and then annealed at ∼500∘C for several minutes prior to Cs deposition, and a 13-nm-thick epitaxial Bi2Se3 film that was not subject to sputtering and was annealed only at ∼350∘C. In the first case, a considerable fraction of Cs atoms occupy top layer Se atoms sites both on the terraces and along the upper step edges where they form one-dimensional-like structures parallel to the step. In the second case, Cs atoms occupy the fcc hollow site positions. First-principles calculations reveal that Cs atoms prefer to occupy Se positions on the Bi2Se3(0001) surface only if vacancies are present, which might be created during the crystal growth or during the surface preparation process. Otherwise, Cs atoms prefer to be located in fcc hollow sites in agreement with the experimental finding for the MBE-grown sample. |
| 653 ## - Ключевые слова | |
| Ключевые слова | селенид висмута |
| 653 ## - Ключевые слова | |
| Ключевые слова | электронная структура |
| 653 ## - Ключевые слова | |
| Ключевые слова | эпитаксиальные пленки |
| 653 ## - Ключевые слова | |
| Ключевые слова | ГЦК-структуры |
| 655 #4 - Термин индексирования — жанр/форма | |
| Жанр/форма | статьи в журналах |
| 9 (RLIN) | 879358 |
| 700 1# - Другие авторы | |
| Другие авторы | Ernst, Arthur |
| 9 (RLIN) | 148312 |
| 700 1# - Другие авторы | |
| Другие авторы | Mohseni, Katayoon |
| 9 (RLIN) | 148311 |
| 700 1# - Другие авторы | |
| Другие авторы | Fulara, H. |
| 9 (RLIN) | 489621 |
| 700 1# - Другие авторы | |
| Другие авторы | Roy, S. |
| 9 (RLIN) | 319074 |
| 700 1# - Другие авторы | |
| Другие авторы | Castro, G. R. |
| 9 (RLIN) | 489622 |
| 700 1# - Другие авторы | |
| Другие авторы | Rubio-Zuazo, J. |
| 9 (RLIN) | 489623 |
| 700 1# - Другие авторы | |
| Другие авторы | Ryabishchenkova, Anastasiya G. |
| 9 (RLIN) | 101563 |
| 700 1# - Другие авторы | |
| Другие авторы | Kokh, Konstantin A. |
| 9 (RLIN) | 89168 |
| 700 1# - Другие авторы | |
| Другие авторы | Tereshchenko, Oleg E. |
| 9 (RLIN) | 96601 |
| 700 1# - Другие авторы | |
| Другие авторы | Otrokov, Mikhail M. |
| 9 (RLIN) | 99558 |
| 700 1# - Другие авторы | |
| Другие авторы | Aliev, Ziya S. |
| 9 (RLIN) | 157495 |
| 700 1# - Другие авторы | |
| Другие авторы | Babanly, Mahammad B. |
| 9 (RLIN) | 157496 |
| 700 1# - Другие авторы | |
| Другие авторы | Chulkov, Evgueni V. |
| 9 (RLIN) | 89119 |
| 700 1# - Другие авторы | |
| Другие авторы | Meyerheim, Holger L. |
| 9 (RLIN) | 148314 |
| 700 1# - Другие авторы | |
| Другие авторы | Parkin, S. S. P. |
| 9 (RLIN) | 489624 |
| 773 0# - Источник информации | |
| Название источника | Physical Review B |
| Место и дата издания | 2017 |
| Прочая информация | Vol. 95, № 20. P. 205429-1-205429-9 |
| ISSN | 1098-0121 |
| 852 4# - Местонахождение единицы хранения | |
| Код организации-хранителя | RU-ToGU |
| 856 7# - Электронный адрес документа | |
| URL | <a href="http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000646780">http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000646780</a> |
| 908 ## - Параметр входа данных | |
| Параметр входа данных | статья |
| 999 ## - Системные контрольные номера (Koha) | |
| biblionumber (Koha) | 445702 |
No items available.