Scientific Library of Tomsk State University

   E-catalog        

Normal view MARC view

Comparative analysis of germanium-silicon quantum dots formation on Si(100), Si(111) and Sn/Si(100) surfaces (Record no. 441683)

000 -Маркер записи
Контрольное поле постоянной длины 02870nab a2200349 c 4500
001 - Контрольный номер
Контрольное поле vtls000634047
005 - Дата корректировки
Контрольное поле 20230319213442.0
007 - Кодируемые данные (физ. описан.)
Контрольное поле постоянной длины cr |
008 - Кодируемые данные
Контрольное поле постоянной длины 181005|2018 enk s a eng dd
024 7# - Прочие стандартные номера
Стандартный номер 10.1088/1361-6528/aa9fdd
Источник номера doi
035 ## - Системный контрольный номер
Системный контрольный номер to000634047
040 ## - Источник каталогиз.
Служба первич. каталог. RU-ToGU
Код языка каталог. rus
Служба, преобразующая запись RU-ToGU
100 1# - Автор
Автор Lozovoy, Kirill A.
9 (RLIN) 91708
245 10 - Заглавие
Заглавие Comparative analysis of germanium-silicon quantum dots formation on Si(100), Si(111) and Sn/Si(100) surfaces
Ответственность K. A. Lozovoy, A. P. Kokhanenko, A. V. Voitsekhovskii
504 ## - Библиография
Библиография Библиогр.: 54 назв.
520 3# - Аннотация
Аннотация In this paper theoretical modeling of formation and growth of germanium–silicon quantum dots in the method of molecular beam epitaxy (MBE) on different surfaces is carried out. Silicon substrates with crystallographic orientations (100) and (111) are considered. Special attention is paid to the question of growth of quantum dots on the silicon surface covered by tin, since germanium–silicon–tin system is extremely important for contemporary nano- and optoelectronics: for creation of photodetectors, solar cells, light-emitting diodes, and fast-speed transistors. A theoretical approach for modeling growth processes of such semiconductor compounds during the MBE is presented. Both layer-by-layer and island nucleation stages in the Stranski–Krastanow growth mode are described. A change in free energy during transition of atoms from the wetting layer to an island, activation barrier of the nucleation, critical thickness of 2D to 3D transition, as well as surface density and size distribution function of quantum dots in these systems are calculated with the help of the established model. All the theoretical speculations are carried out keeping in mind possible device applications of these materials. In particular, it is theoretically shown that using of the Si(100) surface covered by tin as a substrate for Ge deposition may be very promising for increasing size homogeneity of quantum dot array for possible applications in low-noise selective quantum dot infrared photodetectors.
653 ## - Ключевые слова
Ключевые слова германий
653 ## - Ключевые слова
Ключевые слова кремний
653 ## - Ключевые слова
Ключевые слова олово
653 ## - Ключевые слова
Ключевые слова Странского-Крастанова переход
653 ## - Ключевые слова
Ключевые слова критическая толщина
653 ## - Ключевые слова
Ключевые слова квантовые точки
655 #4 - Термин индексирования — жанр/форма
Жанр/форма статьи в журналах
9 (RLIN) 879358
700 1# - Другие авторы
Другие авторы Kokhanenko, Andrey P.
9 (RLIN) 91707
700 1# - Другие авторы
Другие авторы Voytsekhovskiy, Alexander V.
9 (RLIN) 91706
773 0# - Источник информации
Название источника Nanotechnology
Место и дата издания 2018
Прочая информация Vol. 29, № 5. P. 054002 (1-7)
ISSN 0957-4484
852 4# - Местонахождение единицы хранения
Код организации-хранителя RU-ToGU
856 7# - Электронный адрес документа
URL <a href="http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000634047">http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000634047</a>
908 ## - Параметр входа данных
Параметр входа данных статья
999 ## - Системные контрольные номера (Koha)
biblionumber (Koha) 441683

No items available.