Normal view
MARC view
On the effect of ballistic overflow on the temperature dependence of the quantum efficiency of InGaN/GaN multiple quantum well light-emitting diodes (Record no. 428452)
[ view plain ]
| 000 -Маркер записи | |
|---|---|
| Контрольное поле постоянной длины | 02210nab a2200325 c 4500 |
| 001 - Контрольный номер | |
| Контрольное поле | vtls000615998 |
| 005 - Дата корректировки | |
| Контрольное поле | 20230319211738.0 |
| 007 - Кодируемые данные (физ. описан.) | |
| Контрольное поле постоянной длины | cr | |
| 008 - Кодируемые данные | |
| Контрольное поле постоянной длины | 171026|2017 ru s a eng d |
| 024 7# - Прочие стандартные номера | |
| Стандартный номер | 10.1134/S1063782617020166 |
| Источник номера | doi |
| 035 ## - Системный контрольный номер | |
| Системный контрольный номер | to000615998 |
| 040 ## - Источник каталогиз. | |
| Служба первич. каталог. | RU-ToGU |
| Код языка каталог. | rus |
| Служба, преобразующая запись | RU-ToGU |
| 245 10 - Заглавие | |
| Заглавие | On the effect of ballistic overflow on the temperature dependence of the quantum efficiency of InGaN/GaN multiple quantum well light-emitting diodes |
| Ответственность | I. A. Prudaev, V. V. Kopyev, I. S. Romanov, V. L. Oleynik |
| 504 ## - Библиография | |
| Библиография | Библиогр.: 34 назв. |
| 520 3# - Аннотация | |
| Аннотация | The dependences of the quantum efficiency of InGaN/GaN multiple quantum well light-emitting diodes on the temperature and excitation level are studied. The experiment is performed for two luminescence excitation modes. A comparison of the results obtained during photo- and electroluminescence shows an additional (to the loss associated with Auger recombination) low-temperature loss in the high-density current region. This causes inversion of the temperature dependence of the quantum efficiency at temperatures lower than 220–300 K. Analysis shows that the loss is associated with electron leakage from the light-emitting-diode active region. The experimental data are explained using the ballistic-overflow model. The simulation results are in qualitative agreement with the experimental dependences of the quantum efficiency on temperature and current density. |
| 653 ## - Ключевые слова | |
| Ключевые слова | квантовая эффективность |
| 653 ## - Ключевые слова | |
| Ключевые слова | светоизлучающие диоды |
| 653 ## - Ключевые слова | |
| Ключевые слова | люминесценция |
| 655 #4 - Термин индексирования — жанр/форма | |
| Жанр/форма | статьи в журналах |
| 9 (RLIN) | 879358 |
| 700 1# - Другие авторы | |
| Другие авторы | Kopyev, Viktor V. |
| 9 (RLIN) | 114994 |
| 700 1# - Другие авторы | |
| Другие авторы | Romanov, I. S. |
| 9 (RLIN) | 97062 |
| 700 1# - Другие авторы | |
| Другие авторы | Oleynik, V. L. |
| 9 (RLIN) | 478657 |
| 700 1# - Другие авторы | |
| Другие авторы | Prudaev, Ilya A. |
| 9 (RLIN) | 99979 |
| 773 0# - Источник информации | |
| Название источника | Semiconductors |
| Место и дата издания | 2017 |
| Прочая информация | Vol. 51, № 2. P. 232-238 |
| ISSN | 1063-7826 |
| 852 4# - Местонахождение единицы хранения | |
| Код организации-хранителя | RU-ToGU |
| 856 7# - Электронный адрес документа | |
| URL | <a href="http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000615998">http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000615998</a> |
| 908 ## - Параметр входа данных | |
| Параметр входа данных | статья |
| 999 ## - Системные контрольные номера (Koha) | |
| biblionumber (Koha) | 428452 |
No items available.