Normal view
MARC view
Spin Hall conductivity in three-dimensional topological insulator/normal insulator heterostructures (Record no. 421258)
[ view plain ]
| 000 -Маркер записи | |
|---|---|
| Контрольное поле постоянной длины | 02153nab a2200301 c 4500 |
| 001 - Контрольный номер | |
| Контрольное поле | vtls000577937 |
| 005 - Дата корректировки | |
| Контрольное поле | 20230319210844.0 |
| 007 - Кодируемые данные (физ. описан.) | |
| Контрольное поле постоянной длины | cr | |
| 008 - Кодируемые данные | |
| Контрольное поле постоянной длины | 170620|2015 ru s c eng dd |
| 024 7# - Прочие стандартные номера | |
| Стандартный номер | 10.1134/S0021364015230113 |
| Источник номера | doi |
| 035 ## - Системный контрольный номер | |
| Системный контрольный номер | to000577937 |
| 040 ## - Источник каталогиз. | |
| Служба первич. каталог. | RU-ToGU |
| Код языка каталог. | rus |
| Служба, преобразующая запись | RU-ToGU |
| 100 1# - Автор | |
| Автор | Menshov, V. N. |
| 9 (RLIN) | 101643 |
| 245 10 - Заглавие | |
| Заглавие | Spin Hall conductivity in three-dimensional topological insulator/normal insulator heterostructures |
| Ответственность | V. N. Menshov, V. V. Tugushev, E. V. Chulkov |
| 504 ## - Библиография | |
| Библиография | Библиогр.: 36 назв. |
| 520 3# - Аннотация | |
| Аннотация | In the framework of an effective functional approach based on the k · p method, we study the combined effect of an interface potential and a thickness of a three-dimensional (3D) topological insulator (TI) thin film on the spin Hall conductivity in layered heterostructures comprising TI and normal insulator (NI) materials. We derive an effective two-dimensional (2D) Hamiltonian of a 3D TI thin film sandwiched between two NI slabs and define the applicability limits of approximations used. The energy gap and mass dispersion in the 2D Hamiltonian, originated from the hybridization between TI/NI interfacial bound electron states at the opposite boundaries of a TI film, are demonstrated to change sign with the TI film thickness and the interface potential strength. Finally, we argue that the spin Hall conductivity can efficiently be tuned varying the interface potential characteristics and TI film thickness. |
| 653 ## - Ключевые слова | |
| Ключевые слова | трехмерные топологические изоляторы |
| 653 ## - Ключевые слова | |
| Ключевые слова | гетероструктуры |
| 655 #4 - Термин индексирования — жанр/форма | |
| Жанр/форма | статьи в журналах |
| 9 (RLIN) | 879358 |
| 700 1# - Другие авторы | |
| Другие авторы | Tugushev, V. V. |
| 9 (RLIN) | 167673 |
| 700 1# - Другие авторы | |
| Другие авторы | Chulkov, Evgueni V. |
| 9 (RLIN) | 89119 |
| 773 0# - Источник информации | |
| Название источника | Journal of experimental and theoretical physics letters |
| Место и дата издания | 2015 |
| Прочая информация | Vol. 102, № 11. P. 754-759 |
| ISSN | 0021-3640 |
| 852 4# - Местонахождение единицы хранения | |
| Код организации-хранителя | RU-ToGU |
| 856 7# - Электронный адрес документа | |
| URL | <a href="http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000577937">http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000577937</a> |
| 908 ## - Параметр входа данных | |
| Параметр входа данных | статья |
| 999 ## - Системные контрольные номера (Koha) | |
| biblionumber (Koha) | 421258 |
No items available.