Scientific Library of Tomsk State University

   E-catalog        

Normal view MARC view

Определение спектров поверхностных состояний при значительном гистерезисе электрофизических характеристик МДП-структур на основе МЛЭ HgCdTe (Record no. 411127)

000 -Маркер записи
Контрольное поле постоянной длины 03128nab a2200433 c 4500
001 - Контрольный номер
Контрольное поле vtls000623566
005 - Дата корректировки
Контрольное поле 20240424131148.0
007 - Кодируемые данные (физ. описан.)
Контрольное поле постоянной длины cr |
008 - Кодируемые данные
Контрольное поле постоянной длины 190526|2017 ru s c rus d
035 ## - Системный контрольный номер
Системный контрольный номер to000623566
040 ## - Источник каталогиз.
Служба первич. каталог. RU-ToGU
Код языка каталог. rus
Служба, преобразующая запись RU-ToGU
245 10 - Заглавие
Заглавие Определение спектров поверхностных состояний при значительном гистерезисе электрофизических характеристик МДП-структур на основе МЛЭ HgCdTe
Ответственность А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух и др.
246 11 - Заглавие тома/части
Заглавие тома/части Determination of the surface states spectra from electrical characteristics with a significant hysteresis for mis structures based on MBE HgCdTe
504 ## - Библиография
Библиография Библиогр.: 4 назв.
506 ## - Ограничения на доступ к материалу
Ограничения доступа Доступ в сети ТГУ
520 3# - Аннотация
Аннотация Использована специальная методика измерений электрофизических характеристик МДП-структур на основе МЛЭ HgCdTe, позволяющая исключить влияние гистерезисных явлений на результаты измерения первой производной емкости по напряжению. Предложены методы определения спектров поверхностных состояний в МДП-структурах на основе HgCdTe.
653 ## - Ключевые слова
Ключевые слова молекулярно-лучевая эпитаксия
653 ## - Ключевые слова
Ключевые слова МДП-структуры
653 ## - Ключевые слова
Ключевые слова теллурид кадмия-ртути
653 ## - Ключевые слова
Ключевые слова электрофизические исследования
653 ## - Ключевые слова
Ключевые слова приповерхностные слои
653 ## - Ключевые слова
Ключевые слова полупроводниковые гетероструктуры
655 #4 - Термин индексирования — жанр/форма
Жанр/форма статьи в журналах
9 (RLIN) 879358
700 1# - Другие авторы
Другие авторы Войцеховский, Александр Васильевич
9 (RLIN) 64789
700 1# - Другие авторы
Другие авторы Дзядух, Станислав Михайлович
9 (RLIN) 80402
700 1# - Другие авторы
Другие авторы Сидоров, Георгий Юрьевич
9 (RLIN) 135906
700 1# - Другие авторы
Другие авторы Варавин, Василий Семенович
9 (RLIN) 90984
700 1# - Другие авторы
Другие авторы Васильев, Владимир Васильевич
Титул (звание) физик
9 (RLIN) 95955
700 1# - Другие авторы
Другие авторы Дворецкий, Сергей Алексеевич
9 (RLIN) 90983
700 1# - Другие авторы
Другие авторы Михайлов, Николай Николаевич
Титул (звание) физик
9 (RLIN) 90964
700 1# - Другие авторы
Другие авторы Якушев, Максим Витальевич
9 (RLIN) 91994
700 1# - Другие авторы
Другие авторы Несмелов, Сергей Николаевич
9 (RLIN) 65140
773 0# - Источник информации
Название источника Известия высших учебных заведений. Физика
Место и дата издания 2017
Прочая информация Т. 60, № 12/2. С. 202-205
ISSN 0021-3411
Контрольный № источника 0026-80960
852 4# - Местонахождение единицы хранения
Код организации-хранителя RU-ToGU
856 7# - Электронный адрес документа
URL <a href="http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000623566">http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000623566</a>
908 ## - Параметр входа данных
Параметр входа данных статья
999 ## - Системные контрольные номера (Koha)
biblionumber (Koha) 411127

No items available.