Normal view
MARC view
Определение спектров поверхностных состояний при значительном гистерезисе электрофизических характеристик МДП-структур на основе МЛЭ HgCdTe (Record no. 411127)
[ view plain ]
000 -Маркер записи | |
---|---|
Контрольное поле постоянной длины | 03128nab a2200433 c 4500 |
001 - Контрольный номер | |
Контрольное поле | vtls000623566 |
005 - Дата корректировки | |
Контрольное поле | 20240424131148.0 |
007 - Кодируемые данные (физ. описан.) | |
Контрольное поле постоянной длины | cr | |
008 - Кодируемые данные | |
Контрольное поле постоянной длины | 190526|2017 ru s c rus d |
035 ## - Системный контрольный номер | |
Системный контрольный номер | to000623566 |
040 ## - Источник каталогиз. | |
Служба первич. каталог. | RU-ToGU |
Код языка каталог. | rus |
Служба, преобразующая запись | RU-ToGU |
245 10 - Заглавие | |
Заглавие | Определение спектров поверхностных состояний при значительном гистерезисе электрофизических характеристик МДП-структур на основе МЛЭ HgCdTe |
Ответственность | А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух и др. |
246 11 - Заглавие тома/части | |
Заглавие тома/части | Determination of the surface states spectra from electrical characteristics with a significant hysteresis for mis structures based on MBE HgCdTe |
504 ## - Библиография | |
Библиография | Библиогр.: 4 назв. |
506 ## - Ограничения на доступ к материалу | |
Ограничения доступа | Доступ в сети ТГУ |
520 3# - Аннотация | |
Аннотация | Использована специальная методика измерений электрофизических характеристик МДП-структур на основе МЛЭ HgCdTe, позволяющая исключить влияние гистерезисных явлений на результаты измерения первой производной емкости по напряжению. Предложены методы определения спектров поверхностных состояний в МДП-структурах на основе HgCdTe. |
653 ## - Ключевые слова | |
Ключевые слова | молекулярно-лучевая эпитаксия |
653 ## - Ключевые слова | |
Ключевые слова | МДП-структуры |
653 ## - Ключевые слова | |
Ключевые слова | теллурид кадмия-ртути |
653 ## - Ключевые слова | |
Ключевые слова | электрофизические исследования |
653 ## - Ключевые слова | |
Ключевые слова | приповерхностные слои |
653 ## - Ключевые слова | |
Ключевые слова | полупроводниковые гетероструктуры |
655 #4 - Термин индексирования — жанр/форма | |
Жанр/форма | статьи в журналах |
9 (RLIN) | 879358 |
700 1# - Другие авторы | |
Другие авторы | Войцеховский, Александр Васильевич |
9 (RLIN) | 64789 |
700 1# - Другие авторы | |
Другие авторы | Дзядух, Станислав Михайлович |
9 (RLIN) | 80402 |
700 1# - Другие авторы | |
Другие авторы | Сидоров, Георгий Юрьевич |
9 (RLIN) | 135906 |
700 1# - Другие авторы | |
Другие авторы | Варавин, Василий Семенович |
9 (RLIN) | 90984 |
700 1# - Другие авторы | |
Другие авторы | Васильев, Владимир Васильевич |
Титул (звание) | физик |
9 (RLIN) | 95955 |
700 1# - Другие авторы | |
Другие авторы | Дворецкий, Сергей Алексеевич |
9 (RLIN) | 90983 |
700 1# - Другие авторы | |
Другие авторы | Михайлов, Николай Николаевич |
Титул (звание) | физик |
9 (RLIN) | 90964 |
700 1# - Другие авторы | |
Другие авторы | Якушев, Максим Витальевич |
9 (RLIN) | 91994 |
700 1# - Другие авторы | |
Другие авторы | Несмелов, Сергей Николаевич |
9 (RLIN) | 65140 |
773 0# - Источник информации | |
Название источника | Известия высших учебных заведений. Физика |
Место и дата издания | 2017 |
Прочая информация | Т. 60, № 12/2. С. 202-205 |
ISSN | 0021-3411 |
Контрольный № источника | 0026-80960 |
852 4# - Местонахождение единицы хранения | |
Код организации-хранителя | RU-ToGU |
856 7# - Электронный адрес документа | |
URL | <a href="http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000623566">http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000623566</a> |
908 ## - Параметр входа данных | |
Параметр входа данных | статья |
999 ## - Системные контрольные номера (Koha) | |
biblionumber (Koha) | 411127 |
No items available.