Normal view
MARC view
Localization of electrons in dome-shaped GeSi/Si islands (Record no. 408492)
[ view plain ]
| 000 -Маркер записи | |
|---|---|
| Контрольное поле постоянной длины | 02058nab a2200361 c 4500 |
| 001 - Контрольный номер | |
| Контрольное поле | vtls000552767 |
| 005 - Дата корректировки | |
| Контрольное поле | 20230319205324.0 |
| 007 - Кодируемые данные (физ. описан.) | |
| Контрольное поле постоянной длины | cr | |
| 008 - Кодируемые данные | |
| Контрольное поле постоянной длины | 181202|2015 xxu s a eng d |
| 024 7# - Прочие стандартные номера | |
| Стандартный номер | 10.1063/1.4906522 |
| Источник номера | doi |
| 035 ## - Системный контрольный номер | |
| Системный контрольный номер | to000552767 |
| 040 ## - Источник каталогиз. | |
| Служба первич. каталог. | RU-ToGU |
| Код языка каталог. | rus |
| Служба, преобразующая запись | RU-ToGU |
| 245 10 - Заглавие | |
| Заглавие | Localization of electrons in dome-shaped GeSi/Si islands |
| Ответственность | A. I. Yakimov, V. V. Kirienko, A. A. Bloshkin [et.al.] |
| 504 ## - Библиография | |
| Библиография | Библиогр.: 32 назв. |
| 520 3# - Аннотация | |
| Аннотация | We report on intraband photocurrent spectroscopy of dome-shaped GeSi islands embedded in a Si matrix with n+-type bottom and top Si layers. An in-plane polarized photoresponse in the 85–160 meV energy region has been observed and ascribed to the optical excitation of electrons from states confined in the strained Si near the dome apexes to the continuum states of unstrained Si. The electron confinement is caused by a modification of the conduction band alignment induced by inhomogeneous tensile strain in Si around the buried GeSi quantum dots. Sensitivity of the device to the normal incidence radiation proves a zero-dimensional nature of confined electronic wave functions. |
| 653 ## - Ключевые слова | |
| Ключевые слова | квантовые точки |
| 653 ## - Ключевые слова | |
| Ключевые слова | германий |
| 653 ## - Ключевые слова | |
| Ключевые слова | кремний |
| 653 ## - Ключевые слова | |
| Ключевые слова | локализация электронов |
| 655 #4 - Термин индексирования — жанр/форма | |
| Жанр/форма | статьи в журналах |
| 9 (RLIN) | 879358 |
| 700 1# - Другие авторы | |
| Другие авторы | Yakimov, Andrew I. |
| 9 (RLIN) | 175049 |
| 700 1# - Другие авторы | |
| Другие авторы | Bloshkin, Aleksei A. |
| 9 (RLIN) | 106764 |
| 700 1# - Другие авторы | |
| Другие авторы | Armbrister, V. A. |
| 9 (RLIN) | 175047 |
| 700 1# - Другие авторы | |
| Другие авторы | Kuchinskaya, P. A. |
| 9 (RLIN) | 458684 |
| 700 1# - Другие авторы | |
| Другие авторы | Dvurechenskii, Anatolii V. |
| 9 (RLIN) | 175048 |
| 700 1# - Другие авторы | |
| Другие авторы | Kirienko, V. V. |
| 9 (RLIN) | 175046 |
| 773 0# - Источник информации | |
| Название источника | Applied physics letters |
| Место и дата издания | 2015 |
| Прочая информация | Vol. 106, № 3. P. 032104-1-032104-4 |
| ISSN | 0003-6951 |
| 852 4# - Местонахождение единицы хранения | |
| Код организации-хранителя | RU-ToGU |
| 856 7# - Электронный адрес документа | |
| URL | <a href="http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000552767">http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000552767</a> |
| 908 ## - Параметр входа данных | |
| Параметр входа данных | статья |
| 999 ## - Системные контрольные номера (Koha) | |
| biblionumber (Koha) | 408492 |
No items available.