Normal view
MARC view
Suppression of hole relaxation in small sized Ge/Si quantum dots (Record no. 408477)
[ view plain ]
| 000 -Маркер записи | |
|---|---|
| Контрольное поле постоянной длины | 02152nab a2200325 c 4500 |
| 001 - Контрольный номер | |
| Контрольное поле | vtls000552755 |
| 005 - Дата корректировки | |
| Контрольное поле | 20210907030122.0 |
| 007 - Кодируемые данные (физ. описан.) | |
| Контрольное поле постоянной длины | cr | |
| 008 - Кодируемые данные | |
| Контрольное поле постоянной длины | 180311|2015 ru s a eng dd |
| 024 7# - Прочие стандартные номера | |
| Стандартный номер | 10.1134/S0021364015210122 |
| Источник номера | doi |
| 035 ## - Системный контрольный номер | |
| Системный контрольный номер | to000552755 |
| 040 ## - Источник каталогиз. | |
| Служба первич. каталог. | RU-ToGU |
| Код языка каталог. | rus |
| Служба, преобразующая запись | RU-ToGU |
| 245 10 - Заглавие | |
| Заглавие | Suppression of hole relaxation in small sized Ge/Si quantum dots |
| Ответственность | A. I. Yakimov, V. V. Kirienko, A. A. Bloshkin [et.al.] |
| 520 3# - Аннотация | |
| Аннотация | We study the effect of quantum dot size on the mid-infrared photocurrent, photoconductive gain, and hole capture probability in ten-period p-type Ge/Si quantum dot heterostructures. The dot dimensions are varied by changing the Ge coverage during molecular beam epitaxy of Ge/Si(001) system in the Stranski–Krastanov growth mode while keeping the deposition temperature to be the same. A device with smaller dots is found to exhibit a lower capture probability and a higher photoconductive gain and photoresponse. The integrated responsivity in the mid-wave atmospheric window (λ = (3–5) μm) is improved by a factor of about 8 when the average in-plane dot dimension changes from 18 to 11 nm. The decrease in the dot size is expected to reduce the carrier relaxation rate due to phonon bottleneck by providing strong zero-dimensional quantum mechanical confinement. |
| 653 ## - Ключевые слова | |
| Ключевые слова | квантовые точки |
| 653 ## - Ключевые слова | |
| Ключевые слова | германий |
| 653 ## - Ключевые слова | |
| Ключевые слова | кремний |
| 655 #4 - Термин индексирования — жанр/форма | |
| Жанр/форма | статьи в журналах |
| 9 (RLIN) | 681159 |
| 700 1# - Другие авторы | |
| Другие авторы | Yakimov, Andrew I. |
| 9 (RLIN) | 175049 |
| 700 1# - Другие авторы | |
| Другие авторы | Bloshkin, Aleksei A. |
| 9 (RLIN) | 106764 |
| 700 1# - Другие авторы | |
| Другие авторы | Armbrister, V. A. |
| 9 (RLIN) | 175047 |
| 700 1# - Другие авторы | |
| Другие авторы | Dvurechenskii, Anatolii V. |
| 9 (RLIN) | 175048 |
| 700 1# - Другие авторы | |
| Другие авторы | Kirienko, V. V. |
| 9 (RLIN) | 175046 |
| 773 0# - Источник информации | |
| Название источника | Journal of experimental and theoretical physics letters |
| Место и дата издания | 2015 |
| Прочая информация | Vol. 102, № 9. P. 594-598 |
| ISSN | 0021-3640 |
| 852 4# - Местонахождение единицы хранения | |
| Код организации-хранителя | RU-ToGU |
| 856 7# - Электронный адрес документа | |
| URL | <a href="http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000552755">http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000552755</a> |
| 908 ## - Параметр входа данных | |
| Параметр входа данных | статья |
| 999 ## - Системные контрольные номера (Koha) | |
| biblionumber (Koha) | 408477 |
No items available.