Normal view
MARC view
Strain-induced localization of electrons in layers of the second-type Ge/Si quantum dots (Record no. 408474)
[ view plain ]
| 000 -Маркер записи | |
|---|---|
| Контрольное поле постоянной длины | 01970nab a2200349 c 4500 |
| 001 - Контрольный номер | |
| Контрольное поле | vtls000552753 |
| 005 - Дата корректировки | |
| Контрольное поле | 20230319205323.0 |
| 007 - Кодируемые данные (физ. описан.) | |
| Контрольное поле постоянной длины | cr | |
| 008 - Кодируемые данные | |
| Контрольное поле постоянной длины | 180311|2015 ru s a eng dd |
| 024 7# - Прочие стандартные номера | |
| Стандартный номер | 10.1134/S0021364015110119 |
| Источник номера | doi |
| 035 ## - Системный контрольный номер | |
| Системный контрольный номер | to000552753 |
| 040 ## - Источник каталогиз. | |
| Служба первич. каталог. | RU-ToGU |
| Код языка каталог. | rus |
| Служба, преобразующая запись | RU-ToGU |
| 245 10 - Заглавие | |
| Заглавие | Strain-induced localization of electrons in layers of the second-type Ge/Si quantum dots |
| Ответственность | A. I. Yakimov, V. V. Kirienko, A. A. Bloshkin [et.al.] |
| 504 ## - Библиография | |
| Библиография | Библиогр.: 15 назв. |
| 520 3# - Аннотация | |
| Аннотация | Electronic states in multilayer Ge/Si heterostructures with different periods of the arrangement of layers of Ge quantum dots have been studied by the photocurrent spectroscopy method. It has been found that the binding energy of electrons increases with a decrease in the thickness of a silicon spacer and with the extension of Si layers near the vortices of Ge nanoclusters. The results constitute experimental evidence of the deformation mechanism of the formation of localized electronic states in Ge/Si heterostructures with second-type quantum dots. |
| 653 ## - Ключевые слова | |
| Ключевые слова | квантовые точки |
| 653 ## - Ключевые слова | |
| Ключевые слова | кремний |
| 653 ## - Ключевые слова | |
| Ключевые слова | германий |
| 653 ## - Ключевые слова | |
| Ключевые слова | локализация электронов |
| 655 #4 - Термин индексирования — жанр/форма | |
| Жанр/форма | статьи в журналах |
| 9 (RLIN) | 879358 |
| 700 1# - Другие авторы | |
| Другие авторы | Yakimov, Andrew I. |
| 9 (RLIN) | 175049 |
| 700 1# - Другие авторы | |
| Другие авторы | Bloshkin, Aleksei A. |
| 9 (RLIN) | 106764 |
| 700 1# - Другие авторы | |
| Другие авторы | Armbrister, V. A. |
| 9 (RLIN) | 175047 |
| 700 1# - Другие авторы | |
| Другие авторы | Dvurechenskii, Anatolii V. |
| 9 (RLIN) | 175048 |
| 700 1# - Другие авторы | |
| Другие авторы | Kirienko, V. V. |
| 9 (RLIN) | 175046 |
| 773 0# - Источник информации | |
| Название источника | Journal of experimental and theoretical physics letters |
| Место и дата издания | 2015 |
| Прочая информация | Vol. 101, № 11. P. 750-753 |
| ISSN | 0021-3640 |
| 852 4# - Местонахождение единицы хранения | |
| Код организации-хранителя | RU-ToGU |
| 856 7# - Электронный адрес документа | |
| URL | <a href="http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000552753">http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000552753</a> |
| 908 ## - Параметр входа данных | |
| Параметр входа данных | статья |
| 999 ## - Системные контрольные номера (Koha) | |
| biblionumber (Koha) | 408474 |
No items available.