Scientific Library of Tomsk State University

   Digital catalogue        

Effect of pulse nanosecond volume discharge in air at atmospheric pressure on electrical properties of MIS structures based on p-HgCdTe grown by molecular beam epitaxy (Record no. 405378)

000 -Маркер записи
Контрольное поле постоянной длины 02414nab a2200373 c 4500
001 - Контрольный номер
Контрольное поле vtls000548081
005 - Дата корректировки
Контрольное поле 20210530143811.0
007 - Кодируемые данные (физ. описан.)
Контрольное поле постоянной длины cr |
008 - Кодируемые данные
Контрольное поле постоянной длины 180311|2015 ru s a eng dd
024 7# - Прочие стандартные номера
Стандартный номер 10.1007/s11182-015-0597-3
Источник номера doi
035 ## - Системный контрольный номер
Системный контрольный номер to000548081
040 ## - Источник каталогиз.
Служба первич. каталог. RU-ToGU
Код языка каталог. rus
Служба, преобразующая запись RU-ToGU
245 10 - Заглавие
Заглавие Effect of pulse nanosecond volume discharge in air at atmospheric pressure on electrical properties of MIS structures based on p-HgCdTe grown by molecular beam epitaxy
Ответственность A. V. Voytsekhovskii, S. N. Nesmelov, S. M. Dzyadukh [et.al.]
504 ## - Библиография
Библиография Библиогр.: 17 назв.
520 3# - Аннотация
Аннотация The effect of the pulse nanosecond volume discharge in air at atmospheric pressure on the admittance of MIS structures based on MBE graded-gap p-Hg0.78Cd0.22Te is studied in a wide range of frequencies and temperatures. It is shown that the impact of the discharge leads to significant changes in electrical characteristics of MIS structures (the density of positive fixed charge increases), to the changes in the nature of the hysteresis of capacitance-voltage characteristics, and to an increase in the density of surface states. A possible reason for the changes in the characteristics of MIS structures after exposure to the discharge is substantial restructuring of the defect-impurity system of the semiconductor near the interface.
653 ## - Ключевые слова
Ключевые слова теллурид кадмия-ртути
653 ## - Ключевые слова
Ключевые слова молекулярно-лучевая эпитаксия
653 ## - Ключевые слова
Ключевые слова наносекундные разряды
653 ## - Ключевые слова
Ключевые слова адмиттанс
653 ## - Ключевые слова
Ключевые слова МДП-структуры
655 #4 - Термин индексирования — жанр/форма
Жанр/форма статьи в журналах
9 (RLIN) 564526
700 1# - Другие авторы
Другие авторы Voytsekhovskiy, Alexander V.
9 (RLIN) 91706
700 1# - Другие авторы
Другие авторы Dzyadukh, Stanislav M.
9 (RLIN) 95711
700 1# - Другие авторы
Другие авторы Grigoryev, Denis V.
9 (RLIN) 101525
700 1# - Другие авторы
Другие авторы Tarasenko, Viktor Fedotovich
9 (RLIN) 76225
700 1# - Другие авторы
Другие авторы Shulepov, Mikhail A.
9 (RLIN) 94720
700 1# - Другие авторы
Другие авторы Nesmelov, Sergey N.
9 (RLIN) 101528
773 0# - Источник информации
Название источника Russian physics journal
Место и дата издания 2015
Прочая информация Vol. 58, № 7. P. 970-977
ISSN 1064-8887
852 4# - Местонахождение единицы хранения
Код организации-хранителя RU-ToGU
856 7# - Электронный адрес документа
URL <a href="http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000548081">http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000548081</a>
908 ## - Параметр входа данных
Параметр входа данных статья
999 ## - Системные контрольные номера (Koha)
biblionumber (Koha) 405378

No items available.