Scientific Library of Tomsk State University

   E-catalog        

Normal view MARC view

Admittance of metal-insulator-semiconductor structures based on graded-gap HgCdTe grown by molecular-beam epitaxy on GaAs substrates (Record no. 394672)

000 -Маркер записи
Контрольное поле постоянной длины 02996nab a2200409 c 4500
001 - Контрольный номер
Контрольное поле vtls000535375
005 - Дата корректировки
Контрольное поле 20230319203719.0
007 - Кодируемые данные (физ. описан.)
Контрольное поле постоянной длины cr |
008 - Кодируемые данные
Контрольное поле постоянной длины 181202|2015 enk s a eng|dd
024 7# - Прочие стандартные номера
Стандартный номер 10.1016/j.infrared.2015.04.009
Источник номера doi
035 ## - Системный контрольный номер
Системный контрольный номер to000535375
040 ## - Источник каталогиз.
Служба первич. каталог. RU-ToGU
Код языка каталог. rus
Служба, преобразующая запись RU-ToGU
245 10 - Заглавие
Заглавие Admittance of metal-insulator-semiconductor structures based on graded-gap HgCdTe grown by molecular-beam epitaxy on GaAs substrates
Ответственность A. V. Voytsekhovskiy, S. N. Nesmelov, S. M. Dzyadukh [et.al.]
504 ## - Библиография
Библиография Библиогр.: 23 назв.
520 3# - Аннотация
Аннотация Metal–insulator–semiconductor structures based on n-Hg1−xCdxTe (x = 0.19–0.25) were grown by molecular-beam epitaxy on the GaAs (0 1 3) substrates. Near-surface graded-gap layers with high CdTe content were formed on both sides of the epitaxial HgCdTe. Admittance of these structures was studied experimentally in a wide temperature range (8–150) K. It is shown that an increase in the composition of the working layer and a decrease in temperature lead to a decrease in the frequency of transition to high-frequency behavior of the capacitance–voltage characteristics. The differential resistance of space charge region in the strong inversion increases with the composition of the working layer and for x = 0.22 and 0.25, the differential resistance is limited by the Shockley-Read generation. The values of the differential resistance of space charge region at different frequencies and temperatures were found.
653 ## - Ключевые слова
Ключевые слова полупроводники
653 ## - Ключевые слова
Ключевые слова теллурид кадмия-ртути
653 ## - Ключевые слова
Ключевые слова арсенид галлия
653 ## - Ключевые слова
Ключевые слова молекулярно-лучевая эпитаксия
655 #4 - Термин индексирования — жанр/форма
Жанр/форма статьи в журналах
9 (RLIN) 879358
700 1# - Другие авторы
Другие авторы Voytsekhovskiy, Alexander V.
9 (RLIN) 91706
700 1# - Другие авторы
Другие авторы Dzyadukh, Stanislav M.
9 (RLIN) 95711
700 1# - Другие авторы
Другие авторы Vasilev, Vladimir V.
9 (RLIN) 103797
700 1# - Другие авторы
Другие авторы Varavin, Vasilii S.
9 (RLIN) 102908
700 1# - Другие авторы
Другие авторы Dvoretsky, Sergei A.
9 (RLIN) 101527
700 1# - Другие авторы
Другие авторы Mikhailov, Nikolay N.
9 (RLIN) 103757
700 1# - Другие авторы
Другие авторы Yakushev, Maxim V.
9 (RLIN) 102909
700 1# - Другие авторы
Другие авторы Nesmelov, Sergey N.
9 (RLIN) 101528
710 2# - Другие организации
Организация/юрисдикция Томский государственный университет
Другие уровни Радиофизический факультет
-- Кафедра квантовой электроники и фотоники
9 (RLIN) 74990
710 2# - Другие организации
Организация/юрисдикция Томский государственный университет
Другие уровни Сибирский физико-технический институт
-- Научные подразделения СФТИ
9 (RLIN) 106941
773 0# - Источник информации
Название источника Infrared physics and technology
Место и дата издания 2015
Прочая информация Vol. 71. P. 236-241
ISSN 1350-4495
852 4# - Местонахождение единицы хранения
Код организации-хранителя RU-ToGU
856 7# - Электронный адрес документа
URL <a href="http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000535375">http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000535375</a>
908 ## - Параметр входа данных
Параметр входа данных статья
999 ## - Системные контрольные номера (Koha)
biblionumber (Koha) 394672

No items available.