Normal view
MARC view
Admittance of metal-insulator-semiconductor structures based on graded-gap HgCdTe grown by molecular-beam epitaxy on GaAs substrates (Record no. 394672)
[ view plain ]
000 -Маркер записи | |
---|---|
Контрольное поле постоянной длины | 02996nab a2200409 c 4500 |
001 - Контрольный номер | |
Контрольное поле | vtls000535375 |
005 - Дата корректировки | |
Контрольное поле | 20230319203719.0 |
007 - Кодируемые данные (физ. описан.) | |
Контрольное поле постоянной длины | cr | |
008 - Кодируемые данные | |
Контрольное поле постоянной длины | 181202|2015 enk s a eng|dd |
024 7# - Прочие стандартные номера | |
Стандартный номер | 10.1016/j.infrared.2015.04.009 |
Источник номера | doi |
035 ## - Системный контрольный номер | |
Системный контрольный номер | to000535375 |
040 ## - Источник каталогиз. | |
Служба первич. каталог. | RU-ToGU |
Код языка каталог. | rus |
Служба, преобразующая запись | RU-ToGU |
245 10 - Заглавие | |
Заглавие | Admittance of metal-insulator-semiconductor structures based on graded-gap HgCdTe grown by molecular-beam epitaxy on GaAs substrates |
Ответственность | A. V. Voytsekhovskiy, S. N. Nesmelov, S. M. Dzyadukh [et.al.] |
504 ## - Библиография | |
Библиография | Библиогр.: 23 назв. |
520 3# - Аннотация | |
Аннотация | Metal–insulator–semiconductor structures based on n-Hg1−xCdxTe (x = 0.19–0.25) were grown by molecular-beam epitaxy on the GaAs (0 1 3) substrates. Near-surface graded-gap layers with high CdTe content were formed on both sides of the epitaxial HgCdTe. Admittance of these structures was studied experimentally in a wide temperature range (8–150) K. It is shown that an increase in the composition of the working layer and a decrease in temperature lead to a decrease in the frequency of transition to high-frequency behavior of the capacitance–voltage characteristics. The differential resistance of space charge region in the strong inversion increases with the composition of the working layer and for x = 0.22 and 0.25, the differential resistance is limited by the Shockley-Read generation. The values of the differential resistance of space charge region at different frequencies and temperatures were found. |
653 ## - Ключевые слова | |
Ключевые слова | полупроводники |
653 ## - Ключевые слова | |
Ключевые слова | теллурид кадмия-ртути |
653 ## - Ключевые слова | |
Ключевые слова | арсенид галлия |
653 ## - Ключевые слова | |
Ключевые слова | молекулярно-лучевая эпитаксия |
655 #4 - Термин индексирования — жанр/форма | |
Жанр/форма | статьи в журналах |
9 (RLIN) | 879358 |
700 1# - Другие авторы | |
Другие авторы | Voytsekhovskiy, Alexander V. |
9 (RLIN) | 91706 |
700 1# - Другие авторы | |
Другие авторы | Dzyadukh, Stanislav M. |
9 (RLIN) | 95711 |
700 1# - Другие авторы | |
Другие авторы | Vasilev, Vladimir V. |
9 (RLIN) | 103797 |
700 1# - Другие авторы | |
Другие авторы | Varavin, Vasilii S. |
9 (RLIN) | 102908 |
700 1# - Другие авторы | |
Другие авторы | Dvoretsky, Sergei A. |
9 (RLIN) | 101527 |
700 1# - Другие авторы | |
Другие авторы | Mikhailov, Nikolay N. |
9 (RLIN) | 103757 |
700 1# - Другие авторы | |
Другие авторы | Yakushev, Maxim V. |
9 (RLIN) | 102909 |
700 1# - Другие авторы | |
Другие авторы | Nesmelov, Sergey N. |
9 (RLIN) | 101528 |
710 2# - Другие организации | |
Организация/юрисдикция | Томский государственный университет |
Другие уровни | Радиофизический факультет |
-- | Кафедра квантовой электроники и фотоники |
9 (RLIN) | 74990 |
710 2# - Другие организации | |
Организация/юрисдикция | Томский государственный университет |
Другие уровни | Сибирский физико-технический институт |
-- | Научные подразделения СФТИ |
9 (RLIN) | 106941 |
773 0# - Источник информации | |
Название источника | Infrared physics and technology |
Место и дата издания | 2015 |
Прочая информация | Vol. 71. P. 236-241 |
ISSN | 1350-4495 |
852 4# - Местонахождение единицы хранения | |
Код организации-хранителя | RU-ToGU |
856 7# - Электронный адрес документа | |
URL | <a href="http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000535375">http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000535375</a> |
908 ## - Параметр входа данных | |
Параметр входа данных | статья |
999 ## - Системные контрольные номера (Koha) | |
biblionumber (Koha) | 394672 |
No items available.