Normal view
MARC view
Low-temperature transport of charge carriers in InGaN/GaN multiple quantum well light-emitting diodes (Record no. 389144)
[ view plain ]
| 000 -Маркер записи | |
|---|---|
| Контрольное поле постоянной длины | 02204nab a2200337 c 4500 |
| 001 - Контрольный номер | |
| Контрольное поле | vtls000529688 |
| 005 - Дата корректировки | |
| Контрольное поле | 20230319203110.0 |
| 007 - Кодируемые данные (физ. описан.) | |
| Контрольное поле постоянной длины | cr | |
| 008 - Кодируемые данные | |
| Контрольное поле постоянной длины | 181202|2015 gw s a eng d |
| 024 7# - Прочие стандартные номера | |
| Стандартный номер | 10.1002/pssa.201431646 |
| Источник номера | doi |
| 035 ## - Системный контрольный номер | |
| Системный контрольный номер | to000529688 |
| 040 ## - Источник каталогиз. | |
| Служба первич. каталог. | RU-ToGU |
| Код языка каталог. | rus |
| Служба, преобразующая запись | RU-ToGU |
| 100 1# - Автор | |
| Автор | Prudaev, Ilya A. |
| 9 (RLIN) | 99979 |
| 245 10 - Заглавие | |
| Заглавие | Low-temperature transport of charge carriers in InGaN/GaN multiple quantum well light-emitting diodes |
| Ответственность | I. Prudaev, O. Tolbanov, S. Khludkov |
| 504 ## - Библиография | |
| Библиография | Библиогр.: 18 назв. |
| 520 3# - Аннотация | |
| Аннотация | The results of experimental investigation of forward current-voltage characteristics of InGaN/GaN multiple quantum well light-emitting diodes are presented. A new model for explaining the complex current dependence on voltage is proposed. The model is based on the assumption of space charge limited current, and ballistic overflow of electrons through the multiple quantum well region. It is shown that electrons are captured in the shallow traps while transferring through the active region. The results of measurements indicate that the activation energy of traps decreases with a temperature decrease, which corresponds to the theory of hopping in exponential band tails. |
| 653 ## - Ключевые слова | |
| Ключевые слова | нитрид индия-галлия |
| 653 ## - Ключевые слова | |
| Ключевые слова | нитрид галлия |
| 653 ## - Ключевые слова | |
| Ключевые слова | вольт-амперные характеристики |
| 653 ## - Ключевые слова | |
| Ключевые слова | светоизлучающие диоды |
| 655 #4 - Термин индексирования — жанр/форма | |
| Жанр/форма | статьи в журналах |
| 9 (RLIN) | 879358 |
| 700 1# - Другие авторы | |
| Другие авторы | Tolbanov, Oleg P. |
| 9 (RLIN) | 95834 |
| 700 1# - Другие авторы | |
| Другие авторы | Khludkov, Stanislav S |
| 9 (RLIN) | 439488 |
| 710 2# - Другие организации | |
| Организация/юрисдикция | Томский государственный университет |
| Другие уровни | Радиофизический факультет |
| -- | Научные подразделения РФФ |
| 9 (RLIN) | 107063 |
| 773 0# - Источник информации | |
| Название источника | Physica status solidi A |
| Место и дата издания | 2015 |
| Прочая информация | Vol. 212, № 5. P. 930-934 |
| ISSN | 1862-6319 |
| 852 4# - Местонахождение единицы хранения | |
| Код организации-хранителя | RU-ToGU |
| 856 7# - Электронный адрес документа | |
| URL | <a href="http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000529688">http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000529688</a> |
| 908 ## - Параметр входа данных | |
| Параметр входа данных | статья |
| 999 ## - Системные контрольные номера (Koha) | |
| biblionumber (Koha) | 389144 |
No items available.