Normal view
MARC view
Electrically tunable in-plane anisotropic magnetoresistance in topological insulator BiSbTeSe2 nanodevices (Record no. 387411)
[ view plain ]
| 000 -Маркер записи | |
|---|---|
| Контрольное поле постоянной длины | 02501nab a2200397 c 4500 |
| 001 - Контрольный номер | |
| Контрольное поле | vtls000525709 |
| 005 - Дата корректировки | |
| Контрольное поле | 20230319202903.0 |
| 007 - Кодируемые данные (физ. описан.) | |
| Контрольное поле постоянной длины | cr | |
| 008 - Кодируемые данные | |
| Контрольное поле постоянной длины | 181202|2015 xxu s a eng dd |
| 024 7# - Прочие стандартные номера | |
| Стандартный номер | 10.1021/nl504956s |
| Источник номера | doi |
| 035 ## - Системный контрольный номер | |
| Системный контрольный номер | to000525709 |
| 040 ## - Источник каталогиз. | |
| Служба первич. каталог. | RU-ToGU |
| Код языка каталог. | rus |
| Служба, преобразующая запись | RU-ToGU |
| 245 10 - Заглавие | |
| Заглавие | Electrically tunable in-plane anisotropic magnetoresistance in topological insulator BiSbTeSe2 nanodevices |
| Ответственность | A. Sulaev, M. Zeng, S. Shen [et.al.] |
| 520 3# - Аннотация | |
| Аннотация | We report tunable in-plane anisotropic magnetoresistance (AMR) in nanodevices based on topological insulator<br/>BiSbTeSe2 (BSTS) nanoflakes by electric gating. The AMR can be changed continuously from negative to positive when the<br/>Fermi level is manipulated to cross the Dirac point by an applied gate electric field. We also discuss effects of the gate electric field, current density, and magnetic field on the in-plane AMR with a simple physical model, which is based on the in-plane magnetic field induced shift of the spin-momentum locked topological two surface states that are coupled through side surfaces and bulk weak antilocalization (WAL). The large, tunable and bipolar inplane AMR in BSTS devices provides the possibility of fabricating more sensitive logic and magnetic random access memory AMR devices. |
| 653 ## - Ключевые слова | |
| Ключевые слова | топологические изоляторы |
| 653 ## - Ключевые слова | |
| Ключевые слова | магнитные поля |
| 653 ## - Ключевые слова | |
| Ключевые слова | магнетосопротивление анизотропное |
| 655 #4 - Термин индексирования — жанр/форма | |
| Жанр/форма | статьи в журналах |
| 9 (RLIN) | 879358 |
| 700 1# - Другие авторы | |
| Другие авторы | Sulaev, Azat |
| 9 (RLIN) | 438072 |
| 700 1# - Другие авторы | |
| Другие авторы | Shen, Shun-Qing |
| 9 (RLIN) | 412626 |
| 700 1# - Другие авторы | |
| Другие авторы | Cho, Soon Khuen |
| 9 (RLIN) | 438073 |
| 700 1# - Другие авторы | |
| Другие авторы | Zhu, Wei Guang |
| 9 (RLIN) | 438074 |
| 700 1# - Другие авторы | |
| Другие авторы | Feng, Yuan Ping |
| 9 (RLIN) | 438075 |
| 700 1# - Другие авторы | |
| Другие авторы | Eremeev, Sergey V. |
| 9 (RLIN) | 89116 |
| 700 1# - Другие авторы | |
| Другие авторы | Kawazoe, Yoshiyuki |
| 9 (RLIN) | 329916 |
| 700 1# - Другие авторы | |
| Другие авторы | Shen, Lei |
| 9 (RLIN) | 438076 |
| 700 1# - Другие авторы | |
| Другие авторы | Wang, Lan |
| 9 (RLIN) | 438077 |
| 700 1# - Другие авторы | |
| Другие авторы | Zeng, Minggang |
| 9 (RLIN) | 438078 |
| 710 2# - Другие организации | |
| Организация/юрисдикция | Томский государственный университет |
| Другие уровни | Физический факультет |
| -- | Кафедра физики металлов |
| 9 (RLIN) | 82999 |
| 773 0# - Источник информации | |
| Название источника | Nano letters |
| Место и дата издания | 2015 |
| Прочая информация | Vol. 15, № 3. P. 2061-2066 |
| ISSN | 1530-6984 |
| 852 4# - Местонахождение единицы хранения | |
| Код организации-хранителя | RU-ToGU |
| 856 7# - Электронный адрес документа | |
| URL | <a href="http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000525709">http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000525709</a> |
| 908 ## - Параметр входа данных | |
| Параметр входа данных | статья |
| 999 ## - Системные контрольные номера (Koha) | |
| biblionumber (Koha) | 387411 |
No items available.