Scientific Library of Tomsk State University

   E-catalog        

Normal view MARC view

Стохастическая динамика эффекта каналирования в кристаллах и нанотрубках (Record no. 286479)

000 -Маркер записи
Контрольное поле постоянной длины 02218cam a2200433 i 4500
001 - Контрольный номер
Контрольное поле vtls000396035
005 - Дата корректировки
Контрольное поле 20210922044154.0
008 - Кодируемые данные
Контрольное поле постоянной длины 101122s2008 ru a f b 000 0 rus|d
020 ## - Индекс ISBN
ISBN 9785898467753
035 ## - Системный контрольный номер
Системный контрольный номер 004252299
040 ## - Источник каталогиз.
Служба первич. каталог. RuMoRKP
Код языка каталог. rus
Правила каталог. rcr
Организация, изменившая запись RuMoRGB
-- RU-ToGU
041 0# - Код языка издания
Код языка текста rus
080 ## - Индекс УДК
Индекс УДК 548.0:538.91:539.124
080 ## - Индекс УДК
Индекс УДК 538.971:538.91
084 ## - Индекс другой классификации/Индекс ББК
Индекс другой классификации/Индекс ББК В372.19,0
Источник индекса rubbk
100 1# - Автор
Автор Кощеев, Владимир Петрович
9 (RLIN) 119024
245 10 - Заглавие
Заглавие Стохастическая динамика эффекта каналирования в кристаллах и нанотрубках
Ответственность В. П. Кощеев, Д. А. Моргун, Т. А. Панина ; Сургутский гос. ун-т
260 ## - Выходные данные
Место издания Ханты-Мансийск
Издательство Полиграфист
Дата издания 2008
300 ## - Физическое описание
Объем 99 с.
Иллюстрации/тип воспроизводства ил., табл.
Размеры 22 см
504 ## - Библиография
Библиография Библиогр.: с. 97-99
653 ## - Ключевые слова
Ключевые слова каналирование в нанотрубках
653 ## - Ключевые слова
Ключевые слова пучки заряженных частиц
653 ## - Ключевые слова
Ключевые слова каналирование, теория
653 ## - Ключевые слова
Ключевые слова ионы каналированные
653 ## - Ключевые слова
Ключевые слова компьютерное моделирование
653 ## - Ключевые слова
Ключевые слова взаимодействие заряженных частиц с кристаллами
653 ## - Ключевые слова
Ключевые слова электроны каналированные
653 ## - Ключевые слова
Ключевые слова позитроны каналированные
653 ## - Ключевые слова
Ключевые слова электроны релятивистские, интенсивность излучения
653 ## - Ключевые слова
Ключевые слова PST, программа
653 ## - Ключевые слова
Ключевые слова STE, программа
653 ## - Ключевые слова
Ключевые слова движение заряженных частиц в кристаллах
653 ## - Ключевые слова
Ключевые слова каналирование в кристаллах
700 1# - Другие авторы
Другие авторы Моргун, Дмитрий Алексеевич
9 (RLIN) 364827
700 1# - Другие авторы
Другие авторы Панина, Тамара Алексеевна
9 (RLIN) 364828
852 4# - Местонахождение единицы хранения
Код организации-хранителя RU-ToGU
Полочный индекс 548
Авторский знак К766
Код страны ru
999 ## - Системные контрольные номера (Koha)
biblionumber (Koha) 286479
Holdings
Не выдается Отсутствует на месте Поврежден Исходное место хранения Местоположение Дата поступления Цена Всего выдач Расстановочный шифр Штрих-код Класс экземпляра
      Научная библиотека ТГУ Книгохранилище 04/04/2021 240.00   1-991481к 13820000746717 Выдается в читальный зал