Scientific Library of Tomsk State University

   E-catalog        

Normal view MARC view

Влияние температуры роста и отношения потоков As/Ga на электрофизические свойства слоев легированного кремнием GaAs, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии при низких температурах (Record no. 263149)

000 -Маркер записи
Контрольное поле постоянной длины 01343naa a2200265 i 4500
001 - Контрольный номер
Контрольное поле vtls000381727
005 - Дата корректировки
Контрольное поле 20210404115825.0
008 - Кодируемые данные
Контрольное поле постоянной длины 100304s2004 ru f 100 0 rus d
035 ## - Системный контрольный номер
Системный контрольный номер to000381727
040 ## - Источник каталогиз.
Служба первич. каталог. RU-ToGU
Код языка каталог. rus
Служба, преобразующая запись RU-ToGU
080 ## - Индекс УДК
Индекс УДК 539.2
080 ## - Индекс УДК
Индекс УДК 538.97
100 1# - Автор
Автор Цаплин, В. Б.
9 (RLIN) 348376
245 10 - Заглавие
Заглавие Влияние температуры роста и отношения потоков As/Ga на электрофизические свойства слоев легированного кремнием GaAs, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии при низких температурах
Ответственность В. Б. Цаплин
653 ## - Ключевые слова
Ключевые слова физика полупроводников
653 ## - Ключевые слова
Ключевые слова физика диэлектриков
653 ## - Ключевые слова
Ключевые слова молекулярно-лучевая эпитаксия
653 ## - Ключевые слова
Ключевые слова электрофизические свойства
653 ## - Ключевые слова
Ключевые слова легирование
773 0# - Источник информации
Название источника Физика твердого тела : материалы IX Российской научной студенческой конференции, 12-14 мая 2004 г.
Место и дата издания Томск, 2004
Прочая информация С. 102-104
Контрольный № источника 0204-47960
852 4# - Местонахождение единицы хранения
Код организации-хранителя Ru-ToGU
908 ## - Параметр входа данных
Параметр входа данных статья
999 ## - Системные контрольные номера (Koha)
biblionumber (Koha) 263149

No items available.