Normal view
MARC view
Исследование поверхностного потенциала в области V-дефекта эпитаксиальной пленки МЛЭ КРТ (Record no. 139721)
[ view plain ]
| 000 -Маркер записи | |
|---|---|
| Контрольное поле постоянной длины | 02827nab a2200313 c 4500 |
| 001 - Контрольный номер | |
| Контрольное поле | vtls000553171 |
| 005 - Дата корректировки | |
| Контрольное поле | 20231117124255.0 |
| 007 - Кодируемые данные (физ. описан.) | |
| Контрольное поле постоянной длины | cr | |
| 008 - Кодируемые данные | |
| Контрольное поле постоянной длины | 170613|2015 ru s c rus d |
| 035 ## - Системный контрольный номер | |
| Системный контрольный номер | to000553171 |
| 040 ## - Источник каталогиз. | |
| Служба первич. каталог. | RU-ToGU |
| Код языка каталог. | rus |
| Служба, преобразующая запись | RU-ToGU |
| 100 1# - Автор | |
| Автор | Новиков, Вадим Александрович |
| 9 (RLIN) | 83069 |
| 245 10 - Заглавие | |
| Заглавие | Исследование поверхностного потенциала в области V-дефекта эпитаксиальной пленки МЛЭ КРТ |
| Ответственность | В. А. Новиков, Д. В. Григорьев |
| 504 ## - Библиография | |
| Библиография | Библиогр.: 15 назв. |
| 520 3# - Аннотация | |
| Аннотация | Методами атомно-силовой микроскопии проведено исследование распределения контактной разности потенциалов (поверхностного потенциала) эпитаксиальных пленок CdxHg1-xTe, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии. Изменение состава твердого раствора в области V-дефекта приводит к изменению величины контактной разности потенциалов. Показано, что в области V-дефекта состав твердого раствора изменяется на ~ 0.05 (2.5 ат.%) в сторону увеличения содержания ртути, а по периферии V-дефекта наблюдается область обеднения ртутью на 0.36 ат.%. Из анализа распределения поверхностного потенциала показано, что эпитаксиальная пленка КРТ, кроме макроскопических V-дефектов, содержит несформировавшиеся V-дефекты диаметром менее 1 мкм. |
| 653 ## - Ключевые слова | |
| Ключевые слова | поверхностный потенциал |
| 653 ## - Ключевые слова | |
| Ключевые слова | теллурид кадмия-ртути |
| 653 ## - Ключевые слова | |
| Ключевые слова | молекулярно-лучевая эпитаксия |
| 653 ## - Ключевые слова | |
| Ключевые слова | v-дефекты |
| 653 ## - Ключевые слова | |
| Ключевые слова | эпитаксиальные пленки |
| 655 #4 - Термин индексирования — жанр/форма | |
| Жанр/форма | статьи в журналах |
| 9 (RLIN) | 879358 |
| 700 1# - Другие авторы | |
| Другие авторы | Григорьев, Денис Валерьевич |
| 9 (RLIN) | 75964 |
| 773 0# - Источник информации | |
| Название источника | Физика и техника полупроводников |
| Место и дата издания | 2015 |
| Прочая информация | Т. 49, вып. 3. С. 319-322 |
| ISSN | 0015-3222 |
| Контрольный № источника | 0028-44860 |
| 852 4# - Местонахождение единицы хранения | |
| Код организации-хранителя | RU-ToGU |
| 856 7# - Электронный адрес документа | |
| URL | <a href="http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000553171">http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000553171</a> |
| 908 ## - Параметр входа данных | |
| Параметр входа данных | статья |
| 999 ## - Системные контрольные номера (Koha) | |
| biblionumber (Koha) | 139721 |
No items available.