Normal view
MARC view
Dynamics of vacancy formation and distribution in semiconductor heterostructures: Effect of thermally generated intrinsic electrons (Record no. 1133161)
[ view plain ]
| 000 -Маркер записи | |
|---|---|
| Контрольное поле постоянной длины | 02305nab a2200325 c 4500 |
| 001 - Контрольный номер | |
| Контрольное поле | koha001133161 |
| 005 - Дата корректировки | |
| Контрольное поле | 20240411175429.0 |
| 007 - Кодируемые данные (физ. описан.) | |
| Контрольное поле постоянной длины | cr | |
| 008 - Кодируемые данные | |
| Контрольное поле постоянной длины | 240411|2023 sz s a eng d |
| 024 7# - Прочие стандартные номера | |
| Стандартный номер | 10.3390/nano13020308 |
| Источник номера | doi |
| 035 ## - Системный контрольный номер | |
| Системный контрольный номер | koha001133161 |
| 040 ## - Источник каталогиз. | |
| Служба первич. каталог. | RU-ToGU |
| Код языка каталог. | rus |
| Служба, преобразующая запись | RU-ToGU |
| 245 10 - Заглавие | |
| Заглавие | Dynamics of vacancy formation and distribution in semiconductor heterostructures: Effect of thermally generated intrinsic electrons |
| Ответственность | T. S. Shamirzaev, V. V. Atuchin, V. E. Zhilitskiy, A. Yu. Gornov |
| 336 ## - Тип содержимого | |
| Тип содержимого | Текст |
| 337 ## - Средство доступа | |
| Средство доступа | электронный |
| 504 ## - Библиография | |
| Библиография | Библиогр.: 64 назв. |
| 520 3# - Аннотация | |
| Аннотация | The effect of thermally generated equilibrium carrier distribution on the vacancy generation, recombination, and mobility in a semiconductor heterostructure with an undoped quantum well is studied. A different rate of thermally generated equilibrium carriers in layers with different band gaps at annealing temperatures forms a charge-carrier density gradient along a heterostructure. The nonuniform spatial distribution of charged vacancy concentration that appears as a result of strong dependence in the vacancy formation rate on the local charge-carrier density is revealed. A model of vacancy-mediated diffusion at high temperatures typical for post-growth annealing that takes into account this effect and dynamics of nonequilibrium vacancy concentration is developed. The change of atomic diffusivity rate in time that follows on the of spatial vacancy distribution dynamics in a model heterostructure with quantum wells during a high-temperature annealing at fixed temperatures is demonstrated by computational modeling. |
| 653 ## - Ключевые слова | |
| Ключевые слова | полупроводниковые гетероструктуры |
| 653 ## - Ключевые слова | |
| Ключевые слова | вакансионная диффузия |
| 653 ## - Ключевые слова | |
| Ключевые слова | квантовые ямы |
| 655 #4 - Термин индексирования — жанр/форма | |
| Жанр/форма | статьи в журналах |
| 9 (RLIN) | 957398 |
| 700 1# - Другие авторы | |
| Другие авторы | Shamirzaev, Timur S. |
| 9 (RLIN) | 956589 |
| 700 1# - Другие авторы | |
| Другие авторы | Atuchin, Victor V. |
| 9 (RLIN) | 95830 |
| 700 1# - Другие авторы | |
| Другие авторы | Zhilitskiy, Vladimir E. |
| 9 (RLIN) | 957399 |
| 700 1# - Другие авторы | |
| Другие авторы | Gornov, Alexander Yu. |
| 9 (RLIN) | 957400 |
| 773 0# - Источник информации | |
| Название источника | Nanomaterials |
| Место и дата издания | 2023 |
| Прочая информация | Vol. 13, № 2. P. 308 (1-21) |
| ISSN | 2079-4991 |
| 852 4# - Местонахождение единицы хранения | |
| Код организации-хранителя | RU-ToGU |
| 856 4# - Электронный адрес документа | |
| URL | <a href="http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001133161">http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001133161</a> |
| 908 ## - Параметр входа данных | |
| Параметр входа данных | статья |
| 999 ## - Системные контрольные номера (Koha) | |
| biblionumber (Koha) | 1133161 |
No items available.