Normal view
MARC view
Influence of white light on the photoelectric characteristics of UV detectors based on β-Ga2O3 (Record no. 1132766)
[ view plain ]
| 000 -Маркер записи | |
|---|---|
| Контрольное поле постоянной длины | 02426nab a2200361 c 4500 |
| 001 - Контрольный номер | |
| Контрольное поле | koha001132766 |
| 005 - Дата корректировки | |
| Контрольное поле | 20240409173556.0 |
| 007 - Кодируемые данные (физ. описан.) | |
| Контрольное поле постоянной длины | cr | |
| 008 - Кодируемые данные | |
| Контрольное поле постоянной длины | 240404|2023 xxu s a eng d |
| 024 7# - Прочие стандартные номера | |
| Стандартный номер | 10.1109/JSEN.2023.3284412 |
| Источник номера | doi |
| 035 ## - Системный контрольный номер | |
| Системный контрольный номер | koha001132766 |
| 040 ## - Источник каталогиз. | |
| Служба первич. каталог. | RU-ToGU |
| Код языка каталог. | rus |
| Служба, преобразующая запись | RU-ToGU |
| 245 10 - Заглавие | |
| Заглавие | Influence of white light on the photoelectric characteristics of UV detectors based on β-Ga2O3 |
| Ответственность | V. M. Kalygina, A. V. Tsymbalov, A. V. Almaev [et al.] |
| 336 ## - Тип содержимого | |
| Тип содержимого | Текст |
| 337 ## - Средство доступа | |
| Средство доступа | электронный |
| 504 ## - Библиография | |
| Библиография | Библиогр.: 42 назв. |
| 520 3# - Аннотация | |
| Аннотация | In this report, we consider the effect of radiation with radiation energy below the β -Ga 2 O 3 band-gap on the photoelectric characteristics of ultraviolet (UV) radiation detectors based on gallium oxide thin films. The gallium oxide film was deposited by radio frequency magnetron sputtering. Interdigital Ti/V electrodes were formed with an inter-electrode distance d = 30μm . The structures exhibit high values of photocurrent under irradiation with a wavelength of λ = 254 nm and intensity of 780μW /cm 2 . The detectors exhibit persistent photoconductivity after exposure to UV radiation. The presence of persistent conductivity is explained by the high concentration of traps in the Ga 2 O 3 film and their recharging under UV irradiation. Radiation with an energy quantum below the β -Ga 2 O 3 band-gap changes the charge state of trap centers in a gallium oxide film. This effect leads to an increase in photocurrent under UV exposure and increases the stability of detectors. |
| 653 ## - Ключевые слова | |
| Ключевые слова | радиочастотное магнетронное распыление |
| 653 ## - Ключевые слова | |
| Ключевые слова | ультрафиолетовые фотодетекторы |
| 653 ## - Ключевые слова | |
| Ключевые слова | фотоэлектрические характеристики |
| 655 #4 - Термин индексирования — жанр/форма | |
| Жанр/форма | статьи в журналах |
| 9 (RLIN) | 956544 |
| 700 1# - Другие авторы | |
| Другие авторы | Kalygina, Vera M. |
| 9 (RLIN) | 90194 |
| 700 1# - Другие авторы | |
| Другие авторы | Tsymbalov, Alexander V. |
| 9 (RLIN) | 811520 |
| 700 1# - Другие авторы | |
| Другие авторы | Almaev, Aleksei V. |
| 9 (RLIN) | 407941 |
| 700 1# - Другие авторы | |
| Другие авторы | Kushnarev, Bogdan O. |
| 9 (RLIN) | 802463 |
| 700 1# - Другие авторы | |
| Другие авторы | Oleinik, Vladimir L. |
| 9 (RLIN) | 483472 |
| 700 1# - Другие авторы | |
| Другие авторы | Petrova, Julianna V. |
| 9 (RLIN) | 956545 |
| 700 1# - Другие авторы | |
| Другие авторы | Yunin, Pavel A. |
| 9 (RLIN) | 956546 |
| 773 0# - Источник информации | |
| Название источника | IEEE sensors journal |
| Место и дата издания | 2023 |
| Прочая информация | Vol. 23, № 14. P. 15530-15536 |
| ISSN | 1530-437X |
| 852 4# - Местонахождение единицы хранения | |
| Код организации-хранителя | RU-ToGU |
| 856 4# - Электронный адрес документа | |
| URL | <a href="http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001132766">http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001132766</a> |
| 908 ## - Параметр входа данных | |
| Параметр входа данных | статья |
| 999 ## - Системные контрольные номера (Koha) | |
| biblionumber (Koha) | 1132766 |
No items available.