Normal view
MARC view
Experimental study of NBνN barrier structures based on MBE n-HgCdTe for MWIR and LWIR photodetectors (Record no. 1016871)
[ view plain ]
| 000 -Маркер записи | |
|---|---|
| Контрольное поле постоянной длины | 02177nab a2200397 c 4500 |
| 001 - Контрольный номер | |
| Контрольное поле | koha001016871 |
| 005 - Дата корректировки | |
| Контрольное поле | 20240110165735.0 |
| 007 - Кодируемые данные (физ. описан.) | |
| Контрольное поле постоянной длины | cr | |
| 008 - Кодируемые данные | |
| Контрольное поле постоянной длины | 240109|2023 xxu s a eng d |
| 024 7# - Прочие стандартные номера | |
| Стандартный номер | 10.1134/S1064226923030208 |
| Источник номера | doi |
| 035 ## - Системный контрольный номер | |
| Системный контрольный номер | koha001016871 |
| 040 ## - Источник каталогиз. | |
| Служба первич. каталог. | RU-ToGU |
| Код языка каталог. | rus |
| Служба, преобразующая запись | RU-ToGU |
| 245 10 - Заглавие | |
| Заглавие | Experimental study of NBνN barrier structures based on MBE n-HgCdTe for MWIR and LWIR photodetectors |
| Ответственность | A. V. Voytsekhovskii, S. M. Dzyadukh, D. I. Gorn [et al.] |
| 336 ## - Тип содержимого | |
| Тип содержимого | Текст |
| 337 ## - Средство доступа | |
| Средство доступа | электронный |
| 504 ## - Библиография | |
| Библиография | Библиогр.: 9 назв. |
| 520 3# - Аннотация | |
| Аннотация | The study is devoted to an experimental analysis of the electrical and photoelectric characteristics of barrier photosensitive structures in the NBνN configuration based on n-HgCdTe. Seven different types of photosensitive structures for MWIR and LWIR infrared ranges, grown by molecular beam epitaxy, have been studied. The current–voltage characteristics were measured both in the dark and under illumination. The parameters of the NBνN structure, which realizes the maximum values of the photocurrent and the minimum values of dark currents in the operating range of bias voltages V for elevated operating temperatures, are determined. |
| 653 ## - Ключевые слова | |
| Ключевые слова | вольт-амперная характеристика |
| 653 ## - Ключевые слова | |
| Ключевые слова | адмиттанс |
| 653 ## - Ключевые слова | |
| Ключевые слова | импеданс |
| 653 ## - Ключевые слова | |
| Ключевые слова | молекулярно-лучевая эпитаксия |
| 653 ## - Ключевые слова | |
| Ключевые слова | барьерная структура |
| 655 #4 - Термин индексирования — жанр/форма | |
| Жанр/форма | статьи в журналах |
| 9 (RLIN) | 918095 |
| 700 1# - Другие авторы | |
| Другие авторы | Voytsekhovskiy, Alexander V. |
| 9 (RLIN) | 91706 |
| 700 1# - Другие авторы | |
| Другие авторы | Dzyadukh, Stanislav M. |
| 9 (RLIN) | 95711 |
| 700 1# - Другие авторы | |
| Другие авторы | Gorn, Dmitriy Igorevich |
| 9 (RLIN) | 167622 |
| 700 1# - Другие авторы | |
| Другие авторы | Dvoretsky, Sergei A. |
| 9 (RLIN) | 101527 |
| 700 1# - Другие авторы | |
| Другие авторы | Mikhailov, Nikolay N. |
| 9 (RLIN) | 103757 |
| 700 1# - Другие авторы | |
| Другие авторы | Sidorov, Georgiy Yu. |
| 9 (RLIN) | 478111 |
| 700 1# - Другие авторы | |
| Другие авторы | Yakushev, Maxim V. |
| 9 (RLIN) | 102909 |
| 773 0# - Источник информации | |
| Название источника | Journal of communications technology and electronics |
| Место и дата издания | 2023 |
| Прочая информация | Vol. 68, № 3. P. 334-337 |
| ISSN | 1064-2269 |
| 852 4# - Местонахождение единицы хранения | |
| Код организации-хранителя | RU-ToGU |
| 856 4# - Электронный адрес документа | |
| URL | <a href="http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001016871">http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001016871</a> |
| 908 ## - Параметр входа данных | |
| Параметр входа данных | статья |
| 999 ## - Системные контрольные номера (Koha) | |
| biblionumber (Koha) | 1016871 |
No items available.