Normal view
MARC view
Self-powered photo diodes based on Ga2O3/n-GaAs structures (Record no. 1016318)
[ view plain ]
| 000 -Маркер записи | |
|---|---|
| Контрольное поле постоянной длины | 02357nab a2200373 c 4500 |
| 001 - Контрольный номер | |
| Контрольное поле | koha001016318 |
| 005 - Дата корректировки | |
| Контрольное поле | 20231221171059.0 |
| 007 - Кодируемые данные (физ. описан.) | |
| Контрольное поле постоянной длины | cr | |
| 008 - Кодируемые данные | |
| Контрольное поле постоянной длины | 231215|2022 ru s a eng d |
| 024 7# - Прочие стандартные номера | |
| Стандартный номер | 10.21883/SC.2022.09.54139.9868 |
| Источник номера | doi |
| 035 ## - Системный контрольный номер | |
| Системный контрольный номер | koha001016318 |
| 040 ## - Источник каталогиз. | |
| Служба первич. каталог. | RU-ToGU |
| Код языка каталог. | rus |
| Служба, преобразующая запись | RU-ToGU |
| 245 10 - Заглавие | |
| Заглавие | Self-powered photo diodes based on Ga2O3/n-GaAs structures |
| Ответственность | V. M. Kalygina, O. S. Kiselyeva, B. O. Kushnarev [et al.] |
| 336 ## - Тип содержимого | |
| Тип содержимого | Текст |
| 337 ## - Средство доступа | |
| Средство доступа | электронный |
| 504 ## - Библиография | |
| Библиография | Библиогр.: 15 назв. |
| 520 3# - Аннотация | |
| Аннотация | The electrical and photovoltaic characteristics of the Ga2O3/n-GaAs structures have been studied. A gallium oxide film was obtained by HF magnetron sputtering on n-GaAs epitaxial layers with concentration of N_d=9.5·1014 cm-3. The thickness of the oxide film was 120 nm. Measurements at a frequency of 106 Hz have shown that the capacitance-voltage and conductance-voltage dependences are described by curves characteristic of metal-insulator-semiconductor structures and exhibit low sensitivity to radiation with λ=254 nm. When operating on a constant signal, the samples exhibit the properties of a photodiode and are able to work offline. The photoelectric characteristics of the detectors during continuous exposure to radiation with λ=254 nm are determined by the high density of traps at the Ga2O3/GaAs interface and in the oxide film. Keywords: MIS-structures, capacitance-voltage characteristics, volt-siemens characteristics, photocurrent, trap density. |
| 653 ## - Ключевые слова | |
| Ключевые слова | МДП-структуры |
| 653 ## - Ключевые слова | |
| Ключевые слова | вольт-фарадные характеристики |
| 653 ## - Ключевые слова | |
| Ключевые слова | пленки оксида галлия |
| 653 ## - Ключевые слова | |
| Ключевые слова | фотоэлектрические характеристики |
| 653 ## - Ключевые слова | |
| Ключевые слова | фотодиоды |
| 655 #4 - Термин индексирования — жанр/форма | |
| Жанр/форма | статьи в журналах |
| 9 (RLIN) | 917084 |
| 700 1# - Другие авторы | |
| Другие авторы | Kalygina, Vera M. |
| 9 (RLIN) | 90194 |
| 700 1# - Другие авторы | |
| Другие авторы | Kiselyeva, O. S. |
| 9 (RLIN) | 917085 |
| 700 1# - Другие авторы | |
| Другие авторы | Kushnarev, Bogdan O. |
| 9 (RLIN) | 802463 |
| 700 1# - Другие авторы | |
| Другие авторы | Oleinik, Vladimir L. |
| 9 (RLIN) | 483472 |
| 700 1# - Другие авторы | |
| Другие авторы | Petrova, Julianna S. |
| 9 (RLIN) | 811521 |
| 700 1# - Другие авторы | |
| Другие авторы | Tsymbalov, Alexander V. |
| 9 (RLIN) | 811520 |
| 773 0# - Источник информации | |
| Название источника | Semiconductors |
| Место и дата издания | 2022 |
| Прочая информация | Vol. 56, № 9. P. 707-711 |
| ISSN | 1063-7826 |
| 852 4# - Местонахождение единицы хранения | |
| Код организации-хранителя | RU-ToGU |
| 856 4# - Электронный адрес документа | |
| URL | <a href="http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001016318">http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001016318</a> |
| 908 ## - Параметр входа данных | |
| Параметр входа данных | статья |
| 999 ## - Системные контрольные номера (Koha) | |
| biblionumber (Koha) | 1016318 |
No items available.