Normal view
MARC view
Peculiarities of the 7 × 7 to 5 × 5 superstructure transition during epitaxial growth of germanium on silicon (111) surface (Record no. 1009722)
[ view plain ]
| 000 -Маркер записи | |
|---|---|
| Контрольное поле постоянной длины | 02303nab a2200397 c 4500 |
| 001 - Контрольный номер | |
| Контрольное поле | koha001009722 |
| 005 - Дата корректировки | |
| Контрольное поле | 20231123173731.0 |
| 007 - Кодируемые данные (физ. описан.) | |
| Контрольное поле постоянной длины | cr | |
| 008 - Кодируемые данные | |
| Контрольное поле постоянной длины | 231117|2023 sz s a eng d |
| 024 7# - Прочие стандартные номера | |
| Стандартный номер | 10.3390/nano13020231 |
| Источник номера | doi |
| 035 ## - Системный контрольный номер | |
| Системный контрольный номер | koha001009722 |
| 040 ## - Источник каталогиз. | |
| Служба первич. каталог. | RU-ToGU |
| Код языка каталог. | rus |
| Служба, преобразующая запись | RU-ToGU |
| 245 10 - Заглавие | |
| Заглавие | Peculiarities of the 7 × 7 to 5 × 5 superstructure transition during epitaxial growth of germanium on silicon (111) surface |
| Ответственность | V. V. Dirko, K. A. Lozovoy, A. P. Kokhanenko [et al.] |
| 336 ## - Тип содержимого | |
| Тип содержимого | Текст |
| 337 ## - Средство доступа | |
| Средство доступа | электронный |
| 504 ## - Библиография | |
| Библиография | Библиогр.: 66 назв. |
| 520 3# - Аннотация | |
| Аннотация | This paper presents the results of studying the processes of epitaxial growth of germanium on silicon with crystallographic orientation (111) in a wide temperature range. The temperature dependences of the duration of the transition stage from the 7 × 7 to 5 × 5 superstructure and the values of the critical thickness of the transition from two-dimensional to three-dimensional growth in the range from 250 to 700 ◦C are determined using the reflection high-energy electron diffraction method. It was shown for the first time that the transition time from the 7 × 7 superstructure to 5 × 5 superstructure depends on the temperature of epitaxial growth. The region of low temperatures of synthesis, which has received insufficient attention so far, is also considered. |
| 653 ## - Ключевые слова | |
| Ключевые слова | двумерные материалы |
| 653 ## - Ключевые слова | |
| Ключевые слова | двумерные структуры |
| 653 ## - Ключевые слова | |
| Ключевые слова | молекулярно-лучевая эпитаксия |
| 653 ## - Ключевые слова | |
| Ключевые слова | кремний |
| 653 ## - Ключевые слова | |
| Ключевые слова | германий |
| 653 ## - Ключевые слова | |
| Ключевые слова | дифракция быстрых электронов на отражение |
| 655 #4 - Термин индексирования — жанр/форма | |
| Жанр/форма | статьи в журналах |
| 9 (RLIN) | 899609 |
| 700 1# - Другие авторы | |
| Другие авторы | Dirko, Vladimir V. |
| 9 (RLIN) | 487202 |
| 700 1# - Другие авторы | |
| Другие авторы | Lozovoy, Kirill A. |
| 9 (RLIN) | 91708 |
| 700 1# - Другие авторы | |
| Другие авторы | Kokhanenko, Andrey P. |
| 9 (RLIN) | 91707 |
| 700 1# - Другие авторы | |
| Другие авторы | Kukenov, Olzhas I. |
| 9 (RLIN) | 899610 |
| 700 1# - Другие авторы | |
| Другие авторы | Korotaev, Alexander G. |
| 9 (RLIN) | 106335 |
| 700 1# - Другие авторы | |
| Другие авторы | Voytsekhovskiy, Alexander V. |
| 9 (RLIN) | 91706 |
| 773 0# - Источник информации | |
| Название источника | Nanomaterials |
| Место и дата издания | 2023 |
| Прочая информация | Vol. 13, № 2. P. 231 (1-12) |
| ISSN | 2079-4991 |
| 852 4# - Местонахождение единицы хранения | |
| Код организации-хранителя | RU-ToGU |
| 856 4# - Электронный адрес документа | |
| URL | <a href="http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001009722">http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001009722</a> |
| 908 ## - Параметр входа данных | |
| Параметр входа данных | статья |
| 999 ## - Системные контрольные номера (Koha) | |
| biblionumber (Koha) | 1009722 |
No items available.