Normal view
MARC view
STM/STS study of the density of states and contrast behavior at the boundary between (7х7)N and (8х8) structures in the SiN/Si(111) system (Record no. 1008407)
[ view plain ]
000 -Маркер записи | |
---|---|
Контрольное поле постоянной длины | 02804nab a2200397 c 4500 |
001 - Контрольный номер | |
Контрольное поле | koha001008407 |
005 - Дата корректировки | |
Контрольное поле | 20231030132648.0 |
007 - Кодируемые данные (физ. описан.) | |
Контрольное поле постоянной длины | cr | |
008 - Кодируемые данные | |
Контрольное поле постоянной длины | 231020|2022 sz s a eng d |
024 7# - Прочие стандартные номера | |
Стандартный номер | 10.3390/cryst12121707 |
Источник номера | doi |
035 ## - Системный контрольный номер | |
Системный контрольный номер | koha001008407 |
040 ## - Источник каталогиз. | |
Служба первич. каталог. | RU-ToGU |
Код языка каталог. | rus |
Служба, преобразующая запись | RU-ToGU |
245 10 - Заглавие | |
Заглавие | STM/STS study of the density of states and contrast behavior at the boundary between (7х7)N and (8х8) structures in the SiN/Si(111) system |
Ответственность | V. Mansurov, T. Malin, S. Teys [et al.] |
336 ## - Тип содержимого | |
Тип содержимого | Текст |
337 ## - Средство доступа | |
Средство доступа | электронный |
504 ## - Библиография | |
Библиография | Библиогр.: 53 назв. |
520 3# - Аннотация | |
Аннотация | The origin of the contrast appearing in STM images at the boundary between diverse ordered structures is studied using the example of two structures, (7 × 7)N and (8 × 8), formed in the system of a two-dimensional silicon nitride layer on the Si(111) surface during ammonia nitridation. A significant dependence of the contrast between these structures on the voltage applied to the tunnel gap was found and studied both experimentally and theoretically. Variations in the contrast were quantitatively studied in the range from −3 V to +3 V, and they were studied in more detail for the positive biases on the sample from +1 V to +2.5 V, where the contrast was changed more than 2 times. Within the one-dimensional Wentzel–Kramers–Brillouin (WKB) model for the tunnel current, a comparatively simple procedure is proposed for the correction of the experimental STS-spectra of differential conductivity to identify the adequate (feasible) density of electron states (DOS). It is shown that the (8 × 8) structure DOS corresponds to a graphene-like layer of silicon nitride structure. The proposed correction procedure of the empirical differential conductivity spectra measured by STS will be useful for the quantitative determination of the DOS of new two-dimensional materials and surface structures. |
653 ## - Ключевые слова | |
Ключевые слова | нитрид кремния |
653 ## - Ключевые слова | |
Ключевые слова | 2D материалы |
653 ## - Ключевые слова | |
Ключевые слова | кремниевая поверхность |
653 ## - Ключевые слова | |
Ключевые слова | азотирование |
653 ## - Ключевые слова | |
Ключевые слова | квазиклассическое приближение |
653 ## - Ключевые слова | |
Ключевые слова | дифференциальная проводимость |
655 #4 - Термин индексирования — жанр/форма | |
Жанр/форма | статьи в журналах |
9 (RLIN) | 897141 |
700 1# - Другие авторы | |
Другие авторы | Mansurov, Vladimir |
9 (RLIN) | 897140 |
700 1# - Другие авторы | |
Другие авторы | Malin, Timur |
9 (RLIN) | 897142 |
700 1# - Другие авторы | |
Другие авторы | Teys, Sergey A. |
9 (RLIN) | 897143 |
700 1# - Другие авторы | |
Другие авторы | Atuchin, Victor V. |
9 (RLIN) | 95830 |
700 1# - Другие авторы | |
Другие авторы | Milakhin, Denis |
9 (RLIN) | 897144 |
700 1# - Другие авторы | |
Другие авторы | Zhuravlev, Konstantin |
9 (RLIN) | 897145 |
773 0# - Источник информации | |
Название источника | Crystals |
Место и дата издания | 2022 |
Прочая информация | Vol. 12, № 12. P. 1707 (1-23) |
ISSN | 2073-4352 |
852 4# - Местонахождение единицы хранения | |
Код организации-хранителя | RU-ToGU |
856 4# - Электронный адрес документа | |
URL | <a href="http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001008407">http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001008407</a> |
908 ## - Параметр входа данных | |
Параметр входа данных | статья |
999 ## - Системные контрольные номера (Koha) | |
biblionumber (Koha) | 1008407 |
No items available.