Scientific Library of Tomsk State University

   E-catalog        

Normal view MARC view

STM/STS study of the density of states and contrast behavior at the boundary between (7х7)N and (8х8) structures in the SiN/Si(111) system (Record no. 1008407)

000 -Маркер записи
Контрольное поле постоянной длины 02804nab a2200397 c 4500
001 - Контрольный номер
Контрольное поле koha001008407
005 - Дата корректировки
Контрольное поле 20231030132648.0
007 - Кодируемые данные (физ. описан.)
Контрольное поле постоянной длины cr |
008 - Кодируемые данные
Контрольное поле постоянной длины 231020|2022 sz s a eng d
024 7# - Прочие стандартные номера
Стандартный номер 10.3390/cryst12121707
Источник номера doi
035 ## - Системный контрольный номер
Системный контрольный номер koha001008407
040 ## - Источник каталогиз.
Служба первич. каталог. RU-ToGU
Код языка каталог. rus
Служба, преобразующая запись RU-ToGU
245 10 - Заглавие
Заглавие STM/STS study of the density of states and contrast behavior at the boundary between (7х7)N and (8х8) structures in the SiN/Si(111) system
Ответственность V. Mansurov, T. Malin, S. Teys [et al.]
336 ## - Тип содержимого
Тип содержимого Текст
337 ## - Средство доступа
Средство доступа электронный
504 ## - Библиография
Библиография Библиогр.: 53 назв.
520 3# - Аннотация
Аннотация The origin of the contrast appearing in STM images at the boundary between diverse ordered structures is studied using the example of two structures, (7 × 7)N and (8 × 8), formed in the system of a two-dimensional silicon nitride layer on the Si(111) surface during ammonia nitridation. A significant dependence of the contrast between these structures on the voltage applied to the tunnel gap was found and studied both experimentally and theoretically. Variations in the contrast were quantitatively studied in the range from −3 V to +3 V, and they were studied in more detail for the positive biases on the sample from +1 V to +2.5 V, where the contrast was changed more than 2 times. Within the one-dimensional Wentzel–Kramers–Brillouin (WKB) model for the tunnel current, a comparatively simple procedure is proposed for the correction of the experimental STS-spectra of differential conductivity to identify the adequate (feasible) density of electron states (DOS). It is shown that the (8 × 8) structure DOS corresponds to a graphene-like layer of silicon nitride structure. The proposed correction procedure of the empirical differential conductivity spectra measured by STS will be useful for the quantitative determination of the DOS of new two-dimensional materials and surface structures.
653 ## - Ключевые слова
Ключевые слова нитрид кремния
653 ## - Ключевые слова
Ключевые слова 2D материалы
653 ## - Ключевые слова
Ключевые слова кремниевая поверхность
653 ## - Ключевые слова
Ключевые слова азотирование
653 ## - Ключевые слова
Ключевые слова квазиклассическое приближение
653 ## - Ключевые слова
Ключевые слова дифференциальная проводимость
655 #4 - Термин индексирования — жанр/форма
Жанр/форма статьи в журналах
9 (RLIN) 897141
700 1# - Другие авторы
Другие авторы Mansurov, Vladimir
9 (RLIN) 897140
700 1# - Другие авторы
Другие авторы Malin, Timur
9 (RLIN) 897142
700 1# - Другие авторы
Другие авторы Teys, Sergey A.
9 (RLIN) 897143
700 1# - Другие авторы
Другие авторы Atuchin, Victor V.
9 (RLIN) 95830
700 1# - Другие авторы
Другие авторы Milakhin, Denis
9 (RLIN) 897144
700 1# - Другие авторы
Другие авторы Zhuravlev, Konstantin
9 (RLIN) 897145
773 0# - Источник информации
Название источника Crystals
Место и дата издания 2022
Прочая информация Vol. 12, № 12. P. 1707 (1-23)
ISSN 2073-4352
852 4# - Местонахождение единицы хранения
Код организации-хранителя RU-ToGU
856 4# - Электронный адрес документа
URL <a href="http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001008407">http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001008407</a>
908 ## - Параметр входа данных
Параметр входа данных статья
999 ## - Системные контрольные номера (Koha)
biblionumber (Koha) 1008407

No items available.